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产品简介:
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型号为 TK80S04K3L(T6L1,NQ) 的 Toshiba Semiconductor and Storage 品牌 MOSFET,属于 N 沟道功率 MOSFET,主要应用于以下场景: 该 MOSFET 具有低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力,适用于需要高效功率转换的场合,如: 1. 电源管理:用于 DC-DC 转换器、开关电源(SMPS)中,提高转换效率并减少发热。 2. 电机控制:在电动工具、电动车或工业电机驱动中作为开关元件。 3. 负载开关:用于电池供电设备中的电源开关控制,如笔记本电脑、平板、智能家电等。 4. 逆变器与变频器:用于小型逆变器或变频系统中,实现电能形式的转换。 5. 汽车电子:适用于车载电源系统、LED 照明驱动等对可靠性要求较高的场景。 其封装形式(如 T6L1)适合表面贴装,适用于自动化生产与高密度 PCB 设计。由于其良好的热稳定性和高耐用性,也适合在较严苛环境中使用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 40V 80A DPAK-3 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK80S04K3L |
产品图片 | |
产品型号 | TK80S04K3L(T6L1,NQ |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4340pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 87nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.1 毫欧 @ 40A,10V |
供应商器件封装 | DPAK+ |
其它名称 | TK80S04K3L(T6L1NQ |
功率-最大值 | 100W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
标准包装 | 2,000 |
漏源极电压(Vdss) | 40V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 80A (Ta) |