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  • 型号: IRLZ44
  • 制造商: Vishay
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRLZ44由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLZ44价格参考。VishayIRLZ44封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRLZ44参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLZ44 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 IRLZ44 是一款常用的 N 沟道增强型 MOSFET,广泛应用于各类电子设备和系统中。其主要应用场景包括:

1. 电源管理:IRLZ44 常用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器和电池充电器中,因其具有低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性,有助于提高电源效率并减少发热。

2. 电机控制:在直流电机驱动器和步进电机控制电路中,IRLZ44 被用作功率开关,实现对电机转速和方向的控制,适用于机器人、电动工具和自动化设备。

3. 负载开关:该器件适用于高电流负载的开关控制,如照明系统、加热元件和风扇控制,能够实现高效、可靠的负载通断。

4. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)和逆变器中,IRLZ44 用于将直流电转换为交流电,支持电源备份和稳定供电。

5. 工业自动化:作为工业控制系统中的关键元件,IRLZ44 用于驱动继电器、电磁阀和其他执行器,适用于PLC和工业机器人等设备。

6. 汽车电子:该MOSFET也适用于汽车应用,如车灯控制、电动窗和电池管理系统,具备良好的耐压和耐温性能。

总之,IRLZ44 凭借其高可靠性、低导通损耗和易于驱动的特性,成为众多中功率应用中的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 60V 50A TO-220ABMOSFET N-Chan 60V 50 Amp

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

50 A

Id-连续漏极电流

50 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

否含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRLZ44-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet

产品型号

IRLZ44IRLZ44

Pd-PowerDissipation

150 W

Pd-功率耗散

150 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

28 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

28 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 10 V

Vgs-栅源极击穿电压

10 V

上升时间

230 ns

下降时间

110 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3300pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

66nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

28 毫欧 @ 31A,5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

*IRLZ44

典型关闭延迟时间

42 ns

功率-最大值

150W

功率耗散

150 W

包装

管件

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

28 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1,000

汲极/源极击穿电压

60 V

漏极连续电流

50 A

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

50A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

闸/源击穿电压

+/- 10 V

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