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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLZ44由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLZ44价格参考。VishayIRLZ44封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRLZ44参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLZ44 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 IRLZ44 是一款常用的 N 沟道增强型 MOSFET,广泛应用于各类电子设备和系统中。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:IRLZ44 常用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器和电池充电器中,因其具有低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性,有助于提高电源效率并减少发热。 2. 电机控制:在直流电机驱动器和步进电机控制电路中,IRLZ44 被用作功率开关,实现对电机转速和方向的控制,适用于机器人、电动工具和自动化设备。 3. 负载开关:该器件适用于高电流负载的开关控制,如照明系统、加热元件和风扇控制,能够实现高效、可靠的负载通断。 4. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)和逆变器中,IRLZ44 用于将直流电转换为交流电,支持电源备份和稳定供电。 5. 工业自动化:作为工业控制系统中的关键元件,IRLZ44 用于驱动继电器、电磁阀和其他执行器,适用于PLC和工业机器人等设备。 6. 汽车电子:该MOSFET也适用于汽车应用,如车灯控制、电动窗和电池管理系统,具备良好的耐压和耐温性能。 总之,IRLZ44 凭借其高可靠性、低导通损耗和易于驱动的特性,成为众多中功率应用中的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 60V 50A TO-220ABMOSFET N-Chan 60V 50 Amp |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 50 A |
Id-连续漏极电流 | 50 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 否含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRLZ44- |
数据手册 | |
产品型号 | IRLZ44IRLZ44 |
Pd-PowerDissipation | 150 W |
Pd-功率耗散 | 150 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 28 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 28 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 10 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
上升时间 | 230 ns |
下降时间 | 110 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3300pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 66nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 28 毫欧 @ 31A,5V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | *IRLZ44 |
典型关闭延迟时间 | 42 ns |
功率-最大值 | 150W |
功率耗散 | 150 W |
包装 | 管件 |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 28 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1,000 |
汲极/源极击穿电压 | 60 V |
漏极连续电流 | 50 A |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 50A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | +/- 10 V |