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Datasheet下载- 型号： STD9NM60N
- 制造商： STMicroelectronics
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STD9NM60N产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STD9NM60N由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STD9NM60N价格参考。STMicroelectronicsSTD9NM60N封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 600V 6.5A（Tc） 70W（Tc） DPAK。您可以下载STD9NM60N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STD9NM60N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STD9NM60N是一款N沟道增强型MOSFET，主要应用于需要高效功率开关的场景。该器件具有高耐压（600V）和较强的电流承载能力（典型导通电流9A），适合用于电源管理和功率转换系统。 其主要应用场景包括： 1. 电源适配器与充电器：用于AC-DC转换电路中，提高转换效率，减小体积。 2. 电机驱动：适用于小型电机控制，如家电、电动工具中的驱动电路。 3. 照明系统：在LED驱动电源中作为开关元件，实现高效能直流转换。 4. 工业自动化：用于PLC、变频器和传感器供电系统中的功率控制。 5. 消费类电子产品：如电视、音响设备中的电源管理模块。 该MOSFET具备低导通电阻、快速开关特性，有助于降低损耗并提升系统效率，适合高频开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAKMOSFET N-Ch 600V 0.63 6.5A MDmesh II Power MO |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 6.5 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STD9NM60NMDmesh™ II |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STD9NM60N |
| Pd-PowerDissipation | 70 W |
| Pd-功率耗散 | 70 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 745 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 745 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 452pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17.4nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 745 毫欧 @ 3.25A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | 497-10959-1 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF250131?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 70W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.5A （Tc） |
| 系列 | STD9NM60N |
