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Datasheet下载- 型号： BUK9Y12-55B,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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BUK9Y12-55B,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK9Y12-55B,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK9Y12-55B,115价格参考。NXP SemiconductorsBUK9Y12-55B,115封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 55V 61.8A（Tc） 106W（Tc） LFPAK56，Power-SO8。您可以下载BUK9Y12-55B,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK9Y12-55B,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 BUK9Y12-55B,115 是一款单N沟道增强型MOSFET，适用于中高功率应用。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）和高效率，适合用于需要高效能和高可靠性的电路设计。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、电源开关和负载管理，提高电源转换效率并减少能量损耗。 2. 电机控制：在电动工具、家用电器和工业电机控制中作为开关元件，提供快速响应和稳定性能。 3. 汽车电子：用于车载电源系统、电动助力转向（EPS）系统和电池管理系统（BMS），满足汽车环境对可靠性和效率的高要求。 4. 消费类电子产品：如笔记本电脑、充电器和适配器中，用于高效能电源设计。 5. 工业自动化：用于PLC、变频器和传感器系统中的功率开关，支持高频率操作和稳定控制。 该MOSFET采用小型封装，适合空间受限的设计，同时具备良好的热性能和耐用性，适合多种高要求的应用环境。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 61.8A LFPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | BUK9Y12-55B,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.15V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2880pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 32nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 11 毫欧 @ 20A，10V |
| 供应商器件封装 | LFPAK56， Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-5525-6 |
| 功率-最大值 | 106W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669，4-LFPAK |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 61.8A （Tc） |
