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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN2028USS-13由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN2028USS-13价格参考。Diodes Inc.DMN2028USS-13封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DMN2028USS-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMN2028USS-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DMN2028USS-13是一款N通道增强型MOSFET晶体管,广泛应用于各种电子电路中。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理: DMN2028USS-13适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和负载开关等应用。其低导通电阻(Rds(on))特性可有效降低功耗,提高效率,适合便携式设备、消费电子和工业电源管理系统。 2. 电机驱动: 该MOSFET可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,作为开关元件控制电机的启停、转向和速度调节。 3. 电池保护与管理: 在电池组设计中,DMN2028USS-13可以用作充放电保护开关,防止过流、短路或过放电等问题,确保电池安全运行。 4. 信号切换: 它适用于音频信号切换、传感器信号路由和其他需要低导通损耗的模拟信号切换场景。 5. 负载控制: 在汽车电子、家用电器和物联网设备中,DMN2028USS-13可用作负载开关,实现对LED灯、继电器或其他负载的精确控制。 6. 便携式设备: 由于其小尺寸(SOT23封装)和高效性能,这款MOSFET非常适合智能手机、平板电脑、蓝牙设备和其他空间受限的便携式电子产品。 7. 热插拔保护: 在服务器、通信设备和其他需要热插拔功能的系统中,DMN2028USS-13可以提供电流限制和瞬态保护。 总之,DMN2028USS-13凭借其低导通电阻、高开关速度和紧凑封装,在需要高效功率转换和控制的应用中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 7.3A 8SOMOSFET N-Ch FET VDSS 20V VGSS 20V ID 9.8A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 9.8 A |
| Id-连续漏极电流 | 9.8 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMN2028USS-13- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMN2028USS-13 |
| PCN其它 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 1.56 W |
| Pd-功率耗散 | 1.56 W |
| Qg-GateCharge | 11.6 nC |
| Qg-栅极电荷 | 11.6 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 20 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 20 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 12.49 ns |
| 下降时间 | 12.33 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1000pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11.6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 20 毫欧 @ 9.4A,4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | DMN2028USS-13DIDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 35.89 ns |
| 功率-最大值 | 1.56W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 20 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 封装/箱体 | SO-8 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 16 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 20 V |
| 漏极连续电流 | 9.8 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 7.3A (Ta) |
| 系列 | DMN2028U |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |