Datasheet下载- 型号： IXTZ550N055T2
- 制造商： IXYS
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTZ550N055T2由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTZ550N055T2价格参考。IXYSIXTZ550N055T2封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXTZ550N055T2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXTZ550N055T2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXTZ550N055T2是一款N沟道MOSFET晶体管，其主要应用场景包括但不限于以下领域： 1. 开关电源（SMPS）：该型号的MOSFET具有低导通电阻和高击穿电压（550V），非常适合用于开关电源中的高频开关应用，例如DC-DC转换器、AC-DC适配器等。 2. 电机驱动：IXTZ550N055T2可用于控制和驱动各种类型的电机，包括步进电机、直流无刷电机（BLDC）和有刷直流电机。其高耐压特性和良好的开关性能使其能够承受电机启动和停止时的瞬态电压冲击。 3. 逆变器：在太阳能逆变器和其他电力逆变器中，这款MOSFET可以作为功率开关元件，将直流电转换为交流电。其高效的开关特性有助于提高逆变器的整体效率。 4. 负载切换：在需要频繁开启或关闭高电压负载的应用中，如汽车电子系统或工业设备，IXTZ550N055T2可以用作负载切换开关，确保可靠且低损耗的操作。 5. 脉宽调制（PWM）控制器：该器件适用于各种PWM控制电路，用于调节输出电压或电流。例如，在LED驱动器中，可以通过PWM信号调节亮度，同时保持较高的能效。 6. 保护电路：由于其高击穿电压和快速响应能力，IXTZ550N055T2也可用作过流保护或短路保护开关，防止下游电路因异常情况而损坏。 7. 不间断电源（UPS）系统：在UPS系统中，该MOSFET可作为功率级元件，用于电池充放电管理以及逆变过程中的高效能量转换。 总之，IXTZ550N055T2凭借其出色的电气参数和可靠性，广泛应用于各种高电压、大功率的电子设备中，尤其是在需要高效功率转换和控制的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 550A DE475MOSFET 550Amps 55V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 550 A |
| Id-连续漏极电流 | 550 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXTZ550N055T2TrenchT2™ GigaMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXTZ550N055T2 |
| Pd-PowerDissipation | 600 W |
| Pd-功率耗散 | 600 W |
| Qg-GateCharge | 595 nC |
| Qg-栅极电荷 | 595 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 40 ns |
| 下降时间 | 230 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 40000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 595nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1 毫欧 @ 100A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | DE475 |
| 典型关闭延迟时间 | 90 ns |
| 功率-最大值 | 600W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | TrenchT2, GigaMOS |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 1 Ohms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | DE475 |
| 封装/箱体 | DE475-6 |
| 工厂包装数量 | 20 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 20 |
| 正向跨导-最小值 | 95 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 55 V |
| 漏极连续电流 | 550 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 550A （Tc） |
| 系列 | IXTZ550N055 |
| 通道模式 | Enhancement |
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