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FDP120N10产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDP120N10由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP120N10价格参考。Fairchild SemiconductorFDP120N10封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 100V 74A(Tc) 170W(Tc) TO-220-3。您可以下载FDP120N10参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDP120N10 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDP120N10 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS):FDP120N10 的高耐压(100V)和低导通电阻(典型值为 0.12Ω)使其非常适合用于开关电源中的功率开关,能够高效地控制电压和电流。 - DC-DC 转换器:在降压或升压转换器中,该 MOSFET 可作为主开关或同步整流器件,提供高效的能量转换。 - 负载开关:在需要快速开启/关闭负载的场景中,FDP120N10 的低导通电阻可以减少功耗并提高效率。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制:适用于驱动小型风扇、泵或其他低功率直流电机,支持 PWM 调速和方向控制。 - H 桥电路:在 H 桥配置中,FDP120N10 可用于双向控制电机旋转方向。 3. 保护电路 - 过流保护:利用其低导通电阻和快速响应特性,可以在过流情况下迅速关断电路,保护系统免受损坏。 - 短路保护:通过检测异常电流并快速切断电路,防止短路对设备造成损害。 4. 汽车电子 - 车载电子设备:如车窗升降器、雨刷控制器等,FDP120N10 的高可靠性与耐压能力适合汽车环境下的应用。 - 电池管理系统 (BMS):用于锂离子电池组的充放电控制,确保电池安全运行。 5. 工业自动化 - 固态继电器:替代传统机械继电器,实现更长寿命和更快切换速度。 - 传感器接口:为各种传感器供电或信号调节提供稳定的开关功能。 6. 消费电子产品 - 充电器和适配器:在便携式设备充电器中用作功率开关,支持高效能量传输。 - LED 驱动:用于驱动高亮度 LED,特别是在需要调光或恒流控制的应用中。 总结 FDP120N10 凭借其出色的电气性能和可靠性,广泛应用于电源管理、电机驱动、保护电路、汽车电子、工业自动化以及消费电子产品等领域。其低导通电阻、高耐压和快速开关特性,使其成为许多功率控制应用的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 100V 74A TO-220MOSFET N Chan 100V 12Mohm |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 74 A |
Id-连续漏极电流 | 74 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDP120N10PowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDP120N10 |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 170 W |
Pd-功率耗散 | 170 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 12 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 12 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 105 ns |
下降时间 | 15 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5605pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 86nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 12 毫欧 @ 74A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220 |
典型关闭延迟时间 | 39 ns |
功率-最大值 | 170W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 1.800 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 74A (Tc) |
系列 | FDP120N10 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |