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  • 型号: FDP120N10
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FDP120N10产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDP120N10由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP120N10价格参考。Fairchild SemiconductorFDP120N10封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 100V 74A(Tc) 170W(Tc) TO-220-3。您可以下载FDP120N10参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDP120N10 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDP120N10 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。以下是其主要应用场景:

 1. 电源管理
   - 开关电源 (SMPS):FDP120N10 的高耐压(100V)和低导通电阻(典型值为 0.12Ω)使其非常适合用于开关电源中的功率开关,能够高效地控制电压和电流。
   - DC-DC 转换器:在降压或升压转换器中,该 MOSFET 可作为主开关或同步整流器件,提供高效的能量转换。
   - 负载开关:在需要快速开启/关闭负载的场景中,FDP120N10 的低导通电阻可以减少功耗并提高效率。

 2. 电机驱动
   - 小型直流电机控制:适用于驱动小型风扇、泵或其他低功率直流电机,支持 PWM 调速和方向控制。
   - H 桥电路:在 H 桥配置中,FDP120N10 可用于双向控制电机旋转方向。

 3. 保护电路
   - 过流保护:利用其低导通电阻和快速响应特性,可以在过流情况下迅速关断电路,保护系统免受损坏。
   - 短路保护:通过检测异常电流并快速切断电路,防止短路对设备造成损害。

 4. 汽车电子
   - 车载电子设备:如车窗升降器、雨刷控制器等,FDP120N10 的高可靠性与耐压能力适合汽车环境下的应用。
   - 电池管理系统 (BMS):用于锂离子电池组的充放电控制,确保电池安全运行。

 5. 工业自动化
   - 固态继电器:替代传统机械继电器,实现更长寿命和更快切换速度。
   - 传感器接口:为各种传感器供电或信号调节提供稳定的开关功能。

 6. 消费电子产品
   - 充电器和适配器:在便携式设备充电器中用作功率开关,支持高效能量传输。
   - LED 驱动:用于驱动高亮度 LED,特别是在需要调光或恒流控制的应用中。

 总结
FDP120N10 凭借其出色的电气性能和可靠性,广泛应用于电源管理、电机驱动、保护电路、汽车电子、工业自动化以及消费电子产品等领域。其低导通电阻、高耐压和快速开关特性,使其成为许多功率控制应用的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 100V 74A TO-220MOSFET N Chan 100V 12Mohm

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

74 A

Id-连续漏极电流

74 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDP120N10PowerTrench®

数据手册

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产品型号

FDP120N10

PCN封装

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PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

170 W

Pd-功率耗散

170 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

12 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

12 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

105 ns

下降时间

15 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

5605pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

86nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

12 毫欧 @ 74A,10V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220

典型关闭延迟时间

39 ns

功率-最大值

170W

包装

管件

单位重量

1.800 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

74A (Tc)

系列

FDP120N10

通道模式

Enhancement

配置

Single

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