Datasheet下载- 型号： IPD49CN10N G
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPD49CN10N G由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPD49CN10N G价格参考。InfineonIPD49CN10N G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPD49CN10N G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPD49CN10N G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的IPD49CN10N G是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于单个N沟道功率MOSFET。该器件广泛应用于需要高效能、高可靠性的电力电子系统中。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理系统：用于DC-DC转换器、电源开关和负载管理，适用于服务器、通信设备和工业电源系统。 2. 电机控制：在无刷直流电机（BLDC）驱动器和电动工具中，用于实现高效的电机速度和功率控制。 3. 汽车电子：如车载充电系统（OBC）、电池管理系统（BMS）及车身控制模块，因其具备高可靠性和温度稳定性，适合严苛的汽车工作环境。 4. 消费电子产品：用于笔记本电脑、高端充电器、适配器等设备中的高效能电源转换电路。 5. 工业自动化：在PLC（可编程逻辑控制器）和工业变频器中作为功率开关元件，实现对设备的精准控制。 IPD49CN10N G具备低导通电阻（Rds(on)）、高耐压（100V）和良好热性能，适用于高频开关应用，有助于提高系统效率并减小电路体积。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 20A TO252-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPP50CN10N_Rev1.05.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42c1747466c |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPD49CN10N G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 20µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1090pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 49 毫欧 @ 20A，10V |
| 供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
| 其它名称 | SP000096459 |
| 功率-最大值 | 44W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20A （Tc） |
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