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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF1407PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF1407PBF价格参考¥5.31-¥5.57。International RectifierIRF1407PBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF1407PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF1407PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRF1407PBF是一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于需要高效功率转换和开关的场景。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理:IRF1407PBF适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和AC-DC转换器中,作为主开关器件或同步整流器件,实现高效的电能转换。 2. 电机驱动:该MOSFET可用于驱动小型直流电机、步进电机或无刷直流电机,提供高效率和低损耗的电流控制。 3. 逆变器:在光伏逆变器和其他类型的逆变器中,IRF1407PBF可以用于功率级电路,将直流电转换为交流电。 4. 负载开关:在需要快速开关大电流负载的应用中,如汽车电子、工业设备等,IRF1407PBF能够可靠地控制负载通断。 5. 电池管理系统(BMS):用于保护电池组免受过充、过放或短路影响,通过精确控制充电和放电路径来提高安全性。 6. 音频功放:在D类音频放大器中,这款MOSFET可以用作输出级开关,提供高保真度和低失真的声音输出。 7. 脉宽调制(PWM)控制器:在各种PWM应用中,例如LED驱动、加热元件控制等,IRF1407PBF可实现精确的功率调节。 8. 汽车电子:包括启动马达控制、车载充电器以及各类传感器接口等场合,都能发挥其高性能特性。 总之,IRF1407PBF凭借其低导通电阻、高切换速度及良好散热性能,在众多需要高效功率处理与精确控制的领域有着广泛的应用前景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 75V 130A TO-220ABMOSFET MOSFT 75V 130A 7.8mOhm 160nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 130 A |
| Id-连续漏极电流 | 130 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF1407PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF1407PBF |
| Pd-PowerDissipation | 330 W |
| Pd-功率耗散 | 330 W |
| Qg-GateCharge | 160 nC |
| Qg-栅极电荷 | 160 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.8 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7.8 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 75 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5600pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 250nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 7.8 毫欧 @ 78A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | *IRF1407PBF |
| 功率-最大值 | 330W |
| 功率耗散 | 330 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 7.8 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 栅极电荷Qg | 160 nC |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 75 V |
| 漏极连续电流 | 130 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 75V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 130A (Tc) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf1407.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf1407.spi |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |