Datasheet下载- 型号： FQI4N80TU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQI4N80TU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQI4N80TU价格参考。Fairchild SemiconductorFQI4N80TU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQI4N80TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQI4N80TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQI4N80TU是安森美（ON Semiconductor）生产的一款高压N沟道MOSFET，属于晶体管中的功率MOSFET类别。该器件具有800V的高漏源击穿电压和4A的连续漏极电流能力，适用于需要高电压、中等电流开关控制的电源系统。 其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：广泛用于AC-DC转换器中，如电视、显示器、充电器和适配器等设备的电源模块，承担主开关管功能，实现高效电能转换。 2. 照明电源：适用于LED驱动电源、电子镇流器等照明系统，支持高效率和高可靠性工作。 3. 电机驱动：在小型工业控制设备或家用电器中，作为电机控制电路中的开关元件使用。 4. DC-DC转换器：在高压直流变换系统中用于升压或降压拓扑结构，提供稳定的电压输出。 5. 待机电源与辅助电源：用于主电源系统的待机供电部分，具备低功耗和快速响应特性。 FQI4N80TU采用TO-220F封装，具备良好的热稳定性和绝缘性能，适合安装在散热条件有限的环境中。其优化的栅极电荷和导通电阻（RDS(on)）有助于降低开关损耗和导通损耗，提升整体系统效率。此外，该器件符合RoHS环保要求，适用于工业、消费类及绿色能源等多种领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAKMOSFET 800V N-Channel QFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.9 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.9 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQI4N80TUQFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQI4N80TU |
| Pd-PowerDissipation | 3.13 W |
| Pd-功率耗散 | 3.13 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.8 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.8 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 800 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 45 ns |
| 下降时间 | 35 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 880pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.6 欧姆 @ 1.95A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 典型关闭延迟时间 | 35 ns |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 2.084 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 封装/箱体 | I2PAK-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 3.8 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.9A （Tc） |
| 系列 | FQI4N80 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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