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产品简介:
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Vishay Siliconix 的 SUM18N25-165-E3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET)类别。该器件具有低导通电阻、高开关速度和优良的热稳定性,适用于需要高效能功率管理的场合。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:广泛用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器和 AC-DC 电源模块中,作为主开关或同步整流元件,提升转换效率。 2. 电机驱动:在小型电机控制电路中,如家用电器、电动工具和工业自动化设备中,用于实现高效的电机启停与调速。 3. 照明系统:应用于 LED 驱动电源,支持恒流输出与高频调光功能,提高照明系统的能效与稳定性。 4. 消费电子:常见于笔记本电脑、显示器、充电器等设备的电源部分,满足高密度、低功耗的设计需求。 5. 工业控制:用于继电器驱动、电源保护电路和负载开关,提供快速响应和可靠控制。 SUM18N25-165-E3 采用 TO-220 或类似封装,具备良好的散热性能,适合中等功率应用。其符合 RoHS 标准,带有“-E3”标识,表示为无铅产品,适用于环保要求较高的电子产品制造。总体而言,该 MOSFET 凭借其高性能和可靠性,在各类中低压功率切换场景中表现优异。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 250V 18A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Vishay Siliconix |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | SUM18N25-165-E3 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | TrenchFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1950pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 45nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 165 毫欧 @ 14A,10V |
产品目录页面 | |
供应商器件封装 | TO-263(D2Pak) |
其它名称 | SUM18N25-165-E3CT |
功率-最大值 | 3.75W |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 250V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 18A (Tc) |