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- 型号： NTA7002NT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTA7002NT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTA7002NT1G价格参考￥0.18-￥0.18。ON SemiconductorNTA7002NT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTA7002NT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTA7002NT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTA7002NT1G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，属于表面贴装的小信号MOSFET。该器件采用SOT-563（SC-88）超小型封装，具有低导通电阻、快速开关响应和低功耗特性，适用于空间受限的便携式电子设备。 其典型应用场景包括：智能手机、平板电脑、可穿戴设备等消费类电子产品中的电源管理与负载开关控制；用于LED驱动电路中实现高效开关调节；在电池供电系统中作为理想二极管或反向电流保护元件；也可应用于小功率DC-DC转换器、电压变换器及信号切换电路中。 由于其具备良好的热稳定性和可靠性，NTA7002NT1G还广泛用于便携医疗设备、智能家居传感器模块以及无线通信模块的电源控制部分。此外，该MOSFET符合RoHS环保要求，并具备高抗噪能力，适合在复杂电磁环境中稳定运行。 综上，NTA7002NT1G是一款高性能、小体积的MOSFET，特别适用于对尺寸和能效有较高要求的低功率电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 154MA SOT-416MOSFET 30V 154mA N-Channel |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 154 mA |
| Id-连续漏极电流 | 154 mA |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTA7002NT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTA7002NT1G |
| Pd-PowerDissipation | 0.3 W |
| Pd-功率耗散 | 300 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.3 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.3 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| 上升时间 | 15 ns |
| 下降时间 | 15 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 20pF @ 5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7 欧姆 @ 154mA，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SC-75，SOT-416 |
| 其它名称 | NTA7002NT1GOSDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 98 ns |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 功率耗散 | 0.3 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 2.3 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-75，SOT-416 |
| 封装/箱体 | SC-75-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 0.08 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 154 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 154mA （Tj） |
| 系列 | NTA7002N |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 10 V |
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