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IRFB7440PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFB7440PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFB7440PBF价格参考¥4.58-¥5.02。International RectifierIRFB7440PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 40V 120A(Tc) 143W(Tc) TO-220AB。您可以下载IRFB7440PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFB7440PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFB7440PBF 是由 Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。以下是该型号的一些典型应用场景: 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS):IRFB7440PBF 的低导通电阻(Rds(on) 典型值为 2.6mΩ)使其非常适合用于高效能的开关电源设计,如 DC-DC 转换器。 - 电池管理系统 (BMS):可用于电池充放电控制电路中,作为高效率的开关元件。 2. 电机驱动 - 直流无刷电机 (BLDC):在电机驱动应用中,该 MOSFET 可用作功率级开关,提供高效的电流切换能力。 - 步进电机控制:适用于需要快速开关和低损耗的步进电机驱动电路。 3. 负载切换 - 负载开关:在需要频繁开启或关闭高电流负载的应用中,例如汽车电子系统中的继电器替代方案。 - 热插拔保护:在服务器、通信设备等场景中,用于保护电路免受过流和短路影响。 4. 工业自动化 - 可编程逻辑控制器 (PLC):作为输出驱动元件,控制各种工业负载。 - 变频器 (VFD):用于逆变器电路中,实现对交流电机的速度和转矩控制。 5. 汽车电子 - 电动助力转向 (EPS):在汽车电子中,该 MOSFET 可用于 EPS 系统的功率输出级。 - LED 驱动:适用于汽车 LED 照明系统的驱动电路,确保高效且稳定的电流供应。 6. 消费电子产品 - 笔记本电脑适配器:在便携式电子设备的电源适配器中,提供高效的功率转换。 - 家用电器:如空调、冰箱等家电产品中的压缩机驱动或风扇控制。 特性优势 - 低 Rds(on):减少导通损耗,提高整体效率。 - 高电流能力:连续漏极电流高达 189A(脉冲条件下),适合大功率应用。 - 快速开关速度:降低开关损耗,适合高频应用。 - 封装形式:采用 TO-247 封装,具有良好的散热性能,适合高功率密度设计。 总之,IRFB7440PBF 广泛应用于需要高效功率转换和低损耗开关的场景,尤其适合工业、汽车和消费类电子领域的高功率应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N CH 40V 120A TO220MOSFET 40V 120A 2.5 mOhm HEXFET 90nC 208W |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 208 A |
| Id-连续漏极电流 | 208 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFB7440PBFHEXFET®, StrongIRFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFB7440PBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 208 W |
| Pd-功率耗散 | 208 W |
| Qg-GateCharge | 135 nC |
| Qg-栅极电荷 | 135 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.9V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4730pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 135nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.5 毫欧 @ 100A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 功率-最大值 | 208W |
| 功率耗散 | 208 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 商标名 | StrongIRFET |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 2.5 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 栅极电荷Qg | 135 nC |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 40 V |
| 漏极连续电流 | 208 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/international-rectifier-strongirfet-power-mosfet/2963 |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 120A (Tc) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfb7440pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfb7440pbf.spi |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |