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  • 型号: IRFB7440PBF
  • 制造商: International Rectifier
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IRFB7440PBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFB7440PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFB7440PBF价格参考¥4.58-¥5.02。International RectifierIRFB7440PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 40V 120A(Tc) 143W(Tc) TO-220AB。您可以下载IRFB7440PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFB7440PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IRFB7440PBF 是由 Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。以下是该型号的一些典型应用场景:

 1. 电源管理
   - 开关电源 (SMPS):IRFB7440PBF 的低导通电阻(Rds(on) 典型值为 2.6mΩ)使其非常适合用于高效能的开关电源设计,如 DC-DC 转换器。
   - 电池管理系统 (BMS):可用于电池充放电控制电路中,作为高效率的开关元件。

 2. 电机驱动
   - 直流无刷电机 (BLDC):在电机驱动应用中,该 MOSFET 可用作功率级开关,提供高效的电流切换能力。
   - 步进电机控制:适用于需要快速开关和低损耗的步进电机驱动电路。

 3. 负载切换
   - 负载开关:在需要频繁开启或关闭高电流负载的应用中,例如汽车电子系统中的继电器替代方案。
   - 热插拔保护:在服务器、通信设备等场景中,用于保护电路免受过流和短路影响。

 4. 工业自动化
   - 可编程逻辑控制器 (PLC):作为输出驱动元件,控制各种工业负载。
   - 变频器 (VFD):用于逆变器电路中,实现对交流电机的速度和转矩控制。

 5. 汽车电子
   - 电动助力转向 (EPS):在汽车电子中,该 MOSFET 可用于 EPS 系统的功率输出级。
   - LED 驱动:适用于汽车 LED 照明系统的驱动电路,确保高效且稳定的电流供应。

 6. 消费电子产品
   - 笔记本电脑适配器:在便携式电子设备的电源适配器中,提供高效的功率转换。
   - 家用电器:如空调、冰箱等家电产品中的压缩机驱动或风扇控制。

 特性优势
- 低 Rds(on):减少导通损耗,提高整体效率。
- 高电流能力:连续漏极电流高达 189A(脉冲条件下),适合大功率应用。
- 快速开关速度:降低开关损耗,适合高频应用。
- 封装形式:采用 TO-247 封装,具有良好的散热性能,适合高功率密度设计。

总之,IRFB7440PBF 广泛应用于需要高效功率转换和低损耗开关的场景,尤其适合工业、汽车和消费类电子领域的高功率应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N CH 40V 120A TO220MOSFET 40V 120A 2.5 mOhm HEXFET 90nC 208W

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

208 A

Id-连续漏极电流

208 A

品牌

International Rectifier

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFB7440PBFHEXFET®, StrongIRFET™

数据手册

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产品型号

IRFB7440PBF

PCN组件/产地

点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet

Pd-PowerDissipation

208 W

Pd-功率耗散

208 W

Qg-GateCharge

135 nC

Qg-栅极电荷

135 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

2.5 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

2.5 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

40 V

Vds-漏源极击穿电压

40 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.9V @ 100µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

4730pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

135nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

2.5 毫欧 @ 100A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

功率-最大值

208W

功率耗散

208 W

包装

管件

商标

International Rectifier

商标名

StrongIRFET

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

2.5 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

栅极电荷Qg

135 nC

标准包装

50

汲极/源极击穿电压

40 V

漏极连续电流

208 A

漏源极电压(Vdss)

40V

特色产品

http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/international-rectifier-strongirfet-power-mosfet/2963

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

120A (Tc)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfb7440pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfb7440pbf.spi

闸/源击穿电压

20 V

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