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  • 型号: FQU2N100TU
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FQU2N100TU产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQU2N100TU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQU2N100TU价格参考。Fairchild SemiconductorFQU2N100TU封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 1000V 1.6A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) I-PAK。您可以下载FQU2N100TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQU2N100TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 1000V 1.6A IPAKMOSFET 1000V/1.6A/N-CH

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

1.6 A

Id-连续漏极电流

1.6 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQU2N100TUQFET®

数据手册

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产品型号

FQU2N100TU

PCN封装

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Pd-PowerDissipation

2.5 W

Pd-功率耗散

2.5 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

7.1 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

7.1 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

1 kV

Vds-漏源极击穿电压

1 kV

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

30 ns

下降时间

35 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

520pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

15.5nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

9 欧姆 @ 800mA,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

I-Pak

典型关闭延迟时间

25 ns

功率-最大值

2.5W

包装

管件

单位重量

343.080 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

封装/箱体

IPAK-3

工厂包装数量

70

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

70

正向跨导-最小值

1.9 S

漏源极电压(Vdss)

1000V(1kV)

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

1.6A (Tc)

系列

FQU2N100

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

FQU2N100TU_NL

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