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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SIA445EDJ-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIA445EDJ-T1-GE3价格参考。VishaySIA445EDJ-T1-GE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SIA445EDJ-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIA445EDJ-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIA445EDJ-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET,常用于各类电子设备中的功率管理和开关控制。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于笔记本电脑、平板电脑和智能手机等便携式电子设备的电源管理系统,用于高效能电能分配与节能设计。 2. 负载开关:作为负载开关元件,控制电池供电系统中不同模块的开启与关闭,实现低功耗待机功能。 3. 电机驱动:在小型直流电机或步进电机控制电路中用作开关元件,常见于打印机、扫描仪及自动化设备中。 4. DC-DC 转换器:用于同步整流或电压调节模块(VRM),提升转换效率,广泛应用于服务器、通信设备和工业控制系统。 5. 逆变器与电源逆变装置:适用于小型逆变器系统,将直流电源转换为交流输出,如不间断电源(UPS)或太阳能逆变系统。 6. 汽车电子:用于车载电源系统、车身控制模块(BCM)、车灯控制等场景,满足车载环境对可靠性和稳定性的高要求。 该器件具有低导通电阻、高可靠性与良好的热稳定性,适合高频开关操作,是多种中低功率应用的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET P-CH 20V 12A SC-70MOSFET -20V 16.5mOhm@4.5V 12A P-Ch G-III |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平栅极,2.5V 驱动 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 12 A |
Id-连续漏极电流 | - 12 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIA445EDJ-T1-GE3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SIA445EDJ-T1-GE3SIA445EDJ-T1-GE3 |
Pd-PowerDissipation | 19 W |
Pd-功率耗散 | 19 W |
Qg-GateCharge | 23 nC |
Qg-栅极电荷 | 23 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 16.5 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 16.5 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2130pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 72nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 16.5 毫欧 @ 7A,4.5V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PowerPAK® SC-70-6 单 |
其它名称 | SIA445EDJ-T1-GE3CT |
功率-最大值 | 19W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | PowerPAK® SC-70-6 |
封装/箱体 | PowerPAK SC-70-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 12A (Tc) |
配置 | Single |
零件号别名 | SIA445EDJ-GE3 |