【未分类_IPB014N06NATMA1】封装/厂家_IPB014N06NATMA1中文资料_价格

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型号： IPB014N06NATMA1
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IPB014N06NATMA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB014N06NATMA1价格参考。InfineonIPB014N06NATMA1封装/规格：未分类，暂无。您可以下载IPB014N06NATMA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPB014N06NATMA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies的IPB014N06NATMA1是一款晶体管 - FET，MOSFET - 单型号的产品。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面：

1. 电源管理：该MOSFET适用于各种电源管理解决方案，如开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC转换器等。由于其低导通电阻（Rds(on)）特性，能够高效地进行电压转换和电流调节，从而降低功耗并提高系统效率。

2. 电机驱动：在小型电机控制中，例如家用电器、工业自动化设备中的风扇、泵或伺服电机等，这款MOSFET可以作为开关元件来实现精准的速度与方向控制。它支持快速切换且具备良好的热性能，确保长时间稳定运行。

3. 电池保护电路：用于锂电池或其他可充电电池组的过流、短路及过放电保护。通过精确控制充放电路径上的电流流动，有效延长电池寿命并保障使用安全。

4. 汽车电子系统：符合AEC-Q101标准的版本可用于车载应用，比如车窗升降器、雨刷控制系统、座椅调节机构以及LED照明驱动等场合。这些领域要求器件具有高可靠性、耐高温能力和抗干扰性强等特点，而IPB014N06NATMA1正好满足这些需求。

5. 通信基础设施：在基站、路由器等通讯设备里充当功率放大器辅助组件或者信号处理模块的一部分，帮助优化能源利用率同时减少热量产生。

综上所述，IPB014N06NATMA1凭借其优异的电气特性和机械结构设计，广泛适用于消费类电子产品、工业控制装置以及交通运输工具等领域内的多种实际工作环境当中。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
Id-连续漏极电流	180 A
品牌	Infineon Technologies
产品目录	半导体
描述	MOSFET MV POWER MOS
产品分类	分离式半导体
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS
产品系列	晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPB014N06NATMA1
产品型号	IPB014N06NATMA1
Pd-PowerDissipation	214 W
Pd-功率耗散	214 W
Qg-GateCharge	106 nC
Qg-栅极电荷	106 nC
RdsOn-漏源导通电阻	1.4 mOhms
Vds-漏源极击穿电压	60 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	2.8 V
Vgsth-栅源极阈值电压	2.8 V
上升时间	18 ns
下降时间	14 ns
产品种类	MOSFET
典型关闭延迟时间	47 ns
商标	Infineon Technologies
商标名	OptiMOS
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	1.4 mOhms
封装	Reel
封装/箱体	D2PAK-6
工厂包装数量	1000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
正向跨导-最小值	230 S
汲极/源极击穿电压	60 V
漏极连续电流	180 A
系列	IPB014N06
配置	Single
零件号别名	SP000917408