Datasheet下载- 型号： STW30NM60ND
- 制造商： STMicroelectronics
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STW30NM60ND由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STW30NM60ND价格参考。STMicroelectronicsSTW30NM60ND封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STW30NM60ND参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STW30NM60ND 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STW30NM60ND是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效功率管理的场景。该器件具有600V的漏源击穿电压和30A的连续漏极电流能力，适用于中高功率应用。 主要应用场景包括： 1. 电源转换设备：如AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS）等，用于提高转换效率并减小体积。 2. 电机驱动：在工业自动化和家电中用于控制电机的启停与速度调节。 3. 逆变器系统：如太阳能逆变器、UPS不间断电源中，用于直流到交流的电能转换。 4. 照明系统：如LED驱动电源，用于实现高效率的恒流/恒压控制。 5. 汽车电子：用于车载电源系统、电机控制等对可靠性和效率要求较高的场景。 其高耐压、大电流能力和低导通电阻特性，使其在高频开关应用中表现出色，有助于提升系统效率和热管理性能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 25A TO-247 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STW30NM60ND |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | FDmesh™ II |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2800pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 100nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 130 毫欧 @ 12.5A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 其它名称 | 497-8458-5 |
| 功率-最大值 | 190W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 25A （Tc） |
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