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Datasheet下载- 型号： IRFH4210DTRPBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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IRFH4210DTRPBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFH4210DTRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFH4210DTRPBF价格参考。International RectifierIRFH4210DTRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 25V 44A (Ta) 3.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)。您可以下载IRFH4210DTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFH4210DTRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRFH4210DTRPBF 是一款N沟道功率MOSFET，属于高性能、低导通电阻的场效应晶体管，广泛应用于需要高效能开关和电源管理的场合。其主要应用场景包括： 1. 电源转换系统：适用于DC-DC转换器、同步整流和电压调节模块（VRM），尤其在高效率要求的开关电源（SMPS）中表现优异。 2. 电池管理系统：用于便携式设备和电动工具中的电池保护电路，支持大电流开关和低功耗运行，提升能效与续航能力。 3. 电机驱动：在小型电机控制（如无人机、电动玩具、家用电器电机）中作为开关元件，提供快速响应和低损耗性能。 4. 照明应用：用于LED驱动电路，特别是在高亮度LED或汽车照明系统中，实现稳定高效的电流控制。 5. 消费电子与工业控制：常见于笔记本电脑、充电器、适配器及工业电源模块中，满足对小型化、高效率和高可靠性的需求。 IRFH4210DTRPBF采用先进的沟槽技术，具备低栅极电荷和低导通电阻（RDS(on)），有助于减少开关损耗和传导损耗，提高整体系统效率。其SMD封装（如PowerPAK SO-8）便于自动化生产，并具有良好的散热性能，适合紧凑型设计。综合来看，该器件适用于中高功率密度、高频率工作的电子系统，是现代高效电源管理解决方案的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 44A 8PQFNMOSFET 25V Single N-Ch HEXFET PWR 50A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 44 A |
| Id-连续漏极电流 | 44 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFH4210DTRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFH4210DTRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 3.5 W |
| Pd-功率耗散 | 3.5 W |
| Qg-GateCharge | 77 nC |
| Qg-栅极电荷 | 77 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.1 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.1 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.6 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.6 V |
| 上升时间 | 45 ns |
| 下降时间 | 16 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4812pF @ 13V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 77nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.10 毫欧 @ 50A， 10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PQFN（5x6） |
| 其它名称 | IRFH4210DTRPBFDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 24 ns |
| 功率-最大值 | 3.5W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 封装/箱体 | PQFN-8 5X6 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 392 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/fastirfet-power-mosfet/50450 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 44A （Ta） |
| 配置 | Single |
