ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > FDP42AN15A0
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
FDP42AN15A0产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDP42AN15A0由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP42AN15A0价格参考。Fairchild SemiconductorFDP42AN15A0封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 150V 5A(Ta),35A(Tc) 150W(Tc) TO-220-3。您可以下载FDP42AN15A0参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDP42AN15A0 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDP42AN15A0 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - FET,MOSFET - 单一类别。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - DC-DC 转换器:FDP42AN15A0 的低导通电阻(Rds(on))使其非常适合用于高效能的 DC-DC 转换电路中,作为开关元件来实现电压调节。 - 开关电源 (SMPS):该 MOSFET 可用作高频开关元件,在开关电源中提供高效率和低损耗的性能。 2. 电机驱动 - 小型电机控制:适用于驱动小型直流电机或步进电机,尤其是在需要快速开关和低功耗的应用中。 - H 桥电路:在 H 桥电路中用作功率开关,用于双向电机控制。 3. 负载开关 - 在需要动态控制电流的应用中,例如便携式设备、USB 充电器等,FDP42AN15A0 可作为高效的负载开关,实现快速开启/关闭功能。 4. 电池管理系统 (BMS) - 用于锂离子电池或其他类型电池的保护电路中,充当充放电路径的开关,确保电池的安全运行。 5. 逆变器和 UPS 系统 - 在小型逆变器或不间断电源 (UPS) 中,该 MOSFET 可用于功率转换和逆变过程,提供稳定的输出电压。 6. 汽车电子 - 车载电子设备:如车窗升降器、雨刷控制系统等,需要低功耗和高可靠性的开关元件。 - LED 驱动:在汽车 LED 照明系统中,作为电流调节元件,确保 LED 的稳定工作。 7. 工业自动化 - 传感器接口:用于工业传感器的信号调理和功率控制。 - 继电器替代:在某些应用中,FDP42AN15A0 可以替代机械继电器,提供更长寿命和更快响应速度的解决方案。 特性总结 - 耐压范围:150V,适合中低压应用场景。 - 低导通电阻:有助于减少功率损耗,提高整体效率。 - 快速开关特性:支持高频操作,适应现代电子设备的需求。 综上所述,FDP42AN15A0 广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子以及通信设备等领域,尤其适合需要高效能和低功耗的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 35A TO-220ABMOSFET 150V 35a .42 Ohms/VGS=1V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 35 A |
| Id-连续漏极电流 | 35 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDP42AN15A0PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDP42AN15A0 |
| Pd-PowerDissipation | 150 W |
| Pd-功率耗散 | 150 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 80 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 80 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 19 ns |
| 下降时间 | 23 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2150pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 39nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 42 毫欧 @ 12A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | FDP42AN15A0-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 27 ns |
| 功率-最大值 | 150W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.800 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 400 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5A (Ta), 35A (Tc) |
| 系列 | FDP42AN15A0 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FDP42AN15A0_NL |