Datasheet下载- 型号： SI8406DB-T2-E1
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI8406DB-T2-E1由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI8406DB-T2-E1价格参考。VishaySI8406DB-T2-E1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI8406DB-T2-E1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI8406DB-T2-E1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI8406DB-T2-E1 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，常用于需要高效开关和功率控制的电子电路中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、电源开关及负载管理，常见于笔记本电脑、平板和智能手机等便携设备中，用于提高能效和降低功耗。 2. 电机控制：在小型电机驱动电路中作为开关元件，广泛应用于家电、电动工具和自动化设备中。 3. 电池供电系统：用于电池充放电管理电路，提供高效的开关控制，延长电池寿命。 4. 工业控制系统：如PLC、传感器模块和自动化设备中，实现信号切换和功率控制。 5. 汽车电子：用于车载电源系统、LED照明控制及电机驱动等场景，满足汽车环境对可靠性和效率的要求。 该器件具有低导通电阻、高开关速度和小封装特点，适用于空间受限且对性能要求较高的应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Ciss-输入电容 | 830 pF |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 16A MICROFOOTMOSFET 20V 16A 13W 33mohm @ 4.5V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 16 A |
| Id-连续漏极电流 | 16 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI8406DB-T2-E1TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI8406DB-T2-E1SI8406DB-T2-E1 |
| Pd-PowerDissipation | 13 W |
| Pd-功率耗散 | 13 W |
| Qg-GateCharge | 7.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 7.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 33 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 33 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 850 mV |
| 上升时间 | 18 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 850mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 830pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 8V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 33 毫欧 @ 1A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-Micro Foot™ |
| 其它名称 | SI8406DB-T2-E1CT |
| 典型关闭延迟时间 | 30 ns |
| 功率-最大值 | 13W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 33 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-UFBGA |
| 封装/箱体 | Micro Foot-6 1.5x1 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 20 V |
| 漏极连续电流 | 16 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 16A （Tc） |
| 配置 | Single |
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