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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI8441DB-T2-E1由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI8441DB-T2-E1价格参考。VishaySI8441DB-T2-E1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI8441DB-T2-E1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI8441DB-T2-E1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI8441DB-T2-E1 是一款单N沟道增强型MOSFET,适用于多种电源管理和开关应用。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关,提高电源转换效率,降低功耗。 2. 电池供电设备:广泛应用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携设备中,用于电源开关和负载隔离,因其低导通电阻(Rds(on))可减少电池损耗,延长续航时间。 3. 电机控制:用于小型电机或步进电机的驱动电路中,实现快速开关控制,适用于无人机、机器人、电动工具等。 4. LED照明:在LED驱动电路中作为开关元件,实现调光控制和高效能运作。 5. 工业自动化:用于PLC、传感器模块、继电器替代电路中,提供可靠、高速的开关性能。 6. 负载开关与热插拔应用:支持在不断电情况下插入或移除模块,适用于服务器、通信设备和工业控制系统。 该MOSFET采用小型DFN封装,适合高密度PCB布局,具备良好的热性能和高频开关能力,适合中低功率应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 10.5A 2X2 6MFP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | SI8441DB-T2-E1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 700mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 600pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 80 毫欧 @ 1A,4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-Micro Foot™ |
| 功率-最大值 | 13W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-MICRO FOOT™ |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 10.5A (Tc) |