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Datasheet下载- 型号： IRFL024NTRPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFL024NTRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFL024NTRPBF价格参考。International RectifierIRFL024NTRPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFL024NTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFL024NTRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号 IRFL024NTRPBF 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，常用于需要高效、快速开关特性的应用中。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好热性能，适用于多种电力电子系统。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS），用于提高转换效率并减小体积。 2. 电机驱动：在直流电机控制、步进电机或无刷电机中作为功率开关使用，支持PWM调速。 3. 负载开关：用于控制电池供电设备中的负载连接与断开，实现节能与保护功能。 4. 照明系统：如LED驱动电路，用于调节亮度或实现智能照明控制。 5. 汽车电子：适用于车载电源系统、继电器替代方案或车灯控制模块。 6. 工业自动化：用于PLC、工业电源及控制系统的功率切换。 由于其封装为小型化的表面贴装（SMD），适合高密度PCB布局，广泛应用于消费类电子、工业控制及车载设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223MOSFET MOSFT 55V 4A 75mOhm 12.2nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4 A |
| Id-连续漏极电流 | 4 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFL024NTRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFL024NTRPBF |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.1 W |
| Pd-功率耗散 | 2.1 W |
| Qg-GateCharge | 12.2 nC |
| Qg-栅极电荷 | 12.2 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 75 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 75 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 400pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18.3nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 75 毫欧 @ 2.8A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | IRFL024NTRPBFCT |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.8A （Ta） |
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