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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMP10A18GTA由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMP10A18GTA价格参考。Diodes Inc.ZXMP10A18GTA封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载ZXMP10A18GTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZXMP10A18GTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZXMP10A18GTA 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,其应用场景广泛,主要应用于低电压、低功耗的电路设计中。以下是该型号的一些典型应用场景: 1. 电源管理 - ZXMP10A18GTA 的低导通电阻(Rds(on))特性使其非常适合用于高效的电源开关应用,例如 DC-DC 转换器、负载开关和电池管理电路。 - 在便携式设备(如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等)中,可以用作电源开关以实现快速的电源切换和降低功耗。 2. 电机驱动 - 适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路,特别是在需要低电压驱动的应用中,例如玩具、风扇或其他小型机电设备。 - 其低 Rds(on) 可减少电机运行时的功率损耗,提高效率。 3. 负载开关 - 在多负载系统中,可以使用 ZXMP10A18GTA 来控制不同负载的开启与关闭,例如 USB 接口供电、LED 驱动等。 - 它能够提供快速的开关响应时间,同时保持较低的电压降。 4. 信号切换 - 由于其低栅极电荷和快速开关特性,适合用于信号切换应用,例如音频信号切换、传感器信号隔离等。 5. 保护电路 - 可用于过流保护、短路保护和热关断保护电路中。通过检测电流并控制 MOSFET 的开关状态,防止系统因过载而损坏。 6. 电池保护 - 在锂电池或镍氢电池组中,可以用作电池充放电保护开关,确保电池在安全的工作范围内运行。 - 其低导通电阻有助于减少电池连接时的功率损耗,延长电池寿命。 7. 消费电子 - 广泛应用于各种消费电子产品中,例如蓝牙音箱、智能手表、无线耳机、遥控器等,用于功率管理和信号控制。 总结 ZXMP10A18GTA 凭借其低导通电阻、小封装尺寸和高可靠性,特别适合用于低电压、低功耗的消费类电子产品和工业应用。它能够在保证高效能的同时,帮助设计师优化空间和成本。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223MOSFET 100V P-Chnl UMOS |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 3.7 A |
Id-连续漏极电流 | - 3.7 A |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMP10A18GTA- |
数据手册 | |
产品型号 | ZXMP10A18GTA |
Pd-PowerDissipation | 3.9 W |
Pd-功率耗散 | 3.9 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 190 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 190 mOhms |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 6.8 ns |
下降时间 | 17.9 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1055pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26.9nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 150 毫欧 @ 2.8A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SOT-223 |
其它名称 | ZXMP10A18GDKR |
其它图纸 | |
典型关闭延迟时间 | 33.9 ns |
功率-最大值 | 2W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
封装/箱体 | SOT-223-3 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.6A (Ta) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single Dual Drain |