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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4466DY-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4466DY-T1-GE3价格参考。VishaySI4466DY-T1-GE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI4466DY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI4466DY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4466DY-T1-GE3 是一款P沟道增强型MOSFET,属于晶体管中的MOSFET单管器件。该器件采用先进的沟槽技术制造,具有低导通电阻(RDS(on))、高效率和良好的热稳定性,适用于多种电源管理和开关应用。 主要应用场景包括:便携式电子设备(如智能手机、平板电脑、笔记本电脑)中的电源开关和负载管理,用于电池供电系统的电源控制与节能设计;在DC-DC转换器中作为同步整流或高端/低端开关,提升转换效率;还可用于电机驱动、LED驱动电路及各类低电压、低功耗的开关电路中。 SI4466DY-T1-GE3支持逻辑电平驱动,可直接由3.3V或5V微控制器信号驱动,简化了控制电路设计。其小型化的封装(如PowerPAK SO-8)有助于节省PCB空间,适合高密度布局的现代电子产品。 此外,该器件符合RoHS环保标准,可靠性高,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子辅助系统等领域。由于其出色的电气性能和稳定性,特别适合对能效和空间有较高要求的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 9.5A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI4466DY-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 60nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 9 毫欧 @ 13.5A,4.5V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9.5A (Ta) |