Datasheet下载- 型号： SI7457DP-T1-E3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7457DP-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7457DP-T1-E3价格参考。VishaySI7457DP-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI7457DP-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7457DP-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7457DP-T1-E3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，常用于电源管理和负载开关等应用场景。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好热稳定性的特点，适用于以下领域： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、电池充电电路和电压调节模块，提升能效和系统稳定性。 2. 负载开关：在便携式设备（如智能手机、平板电脑）中控制电源通断，降低待机功耗。 3. 电机驱动：用于小型电机或继电器的开关控制，响应速度快且损耗低。 4. 工业控制：在自动化设备中作为高频开关元件，支持精准的电流控制。 其封装形式（如TSSOP）适合高密度PCB布局，适用于空间受限的设计。此外，该器件符合RoHS环保标准，广泛应用于消费电子、工业及汽车电子领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI7457DP-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5230pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 160nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 42 毫欧 @ 7.9A，10V |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 功率-最大值 | 83W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 28A （Tc） |
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