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RQ1E070RPTR产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供RQ1E070RPTR由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RQ1E070RPTR价格参考¥2.60-¥6.17。ROHM SemiconductorRQ1E070RPTR封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 30V 7A(Ta) 550mW(Ta) TSMT8。您可以下载RQ1E070RPTR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RQ1E070RPTR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的RQ1E070RPTR是一款N沟道功率MOSFET,常用于需要高效、低导通电阻和小封装尺寸的电源管理应用。该器件具有低导通电阻、高耐压和优良的热稳定性,适用于多种电子设备中的开关和功率控制。 主要应用场景包括: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、电池充电器等,用于提高转换效率并减小系统功耗。 2. 负载开关:用于控制电源路径,如在移动设备中控制不同模块的供电,以延长电池寿命。 3. 马达驱动:适用于小型马达或风扇的驱动电路,常见于家电、办公设备和工业控制系统。 4. LED照明:作为恒流控制开关,用于LED驱动电路中,实现亮度调节和节能。 5. 汽车电子:如车载充电器、车身控制模块等对可靠性要求较高的应用场景。 该MOSFET采用小型封装(如TSMT4),适合空间受限的设计,同时具备良好的热性能,有助于提升整体系统稳定性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 7A TSMT8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | 点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | RQ1E070RPTR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2700pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 17 毫欧 @ 7A, 10V |
| 供应商器件封装 | TSMT8 |
| 其它名称 | RQ1E070RPDKR |
| 功率-最大值 | 550mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD,扁平引线 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 7A (Ta) |