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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4463CDY-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4463CDY-T1-GE3价格参考。VishaySI4463CDY-T1-GE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI4463CDY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI4463CDY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4463CDY-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,其主要应用场景包括以下方面: 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS):该 MOSFET 可用于 DC-DC 转换器、开关调节器等电路中,作为开关元件实现高效的电压转换。 - 负载开关:在便携式设备(如智能手机、平板电脑)中用作负载开关,控制电路的通断以降低功耗。 - 电池保护:用于锂电池管理系统中,防止过充、过放或短路。 2. 电机驱动 - 小型电机控制:适用于低功率电机驱动应用,例如风扇、玩具电机或微型泵。 - H 桥电路:在 H 桥配置中,该 MOSFET 可用于双向电机控制。 3. 信号切换 - 信号隔离与切换:用于音频、视频或数据信号的切换,确保信号完整性并减少干扰。 - 多路复用器:在需要多路输入/输出选择的应用中,MOSFET 可充当电子开关。 4. 消费电子 - 便携式设备:广泛应用于手机、笔记本电脑、智能手表等便携式设备中,提供高效的小信号和功率控制。 - USB 充电端口保护:用于 USB 端口的过流保护和快速充电管理。 5. 工业应用 - 传感器接口:在工业自动化中,用于传感器信号的放大和切换。 - 继电器替代:由于其低导通电阻和快速开关特性,可替代传统机械继电器。 6. 汽车电子 - 车身控制模块 (BCM):用于车窗升降、座椅调节等低功率控制场景。 - LED 驱动:在汽车照明系统中,用于驱动 LED 灯具。 特性优势 - 低导通电阻 (Rds(on)):降低功率损耗,提高效率。 - 快速开关速度:适合高频应用,减少开关损耗。 - 小封装尺寸:节省 PCB 空间,适合高密度设计。 综上,SI4463CDY-T1-GE3 适用于需要高效功率控制和小信号切换的各种应用场景,特别是在便携式设备、消费电子和工业控制领域中表现优异。
参数 | 数值 |
ChannelMode | Enhancement |
Id-ContinuousDrainCurrent | 18.6 A |
Id-连续漏极电流 | 18.6 A |
品牌 | Vishay / Siliconix |
产品目录 | 半导体 |
描述 | MOSFET 20V 18.6A PCH |
产品分类 | 分离式半导体 |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4463CDY-T1-GE3 |
产品型号 | SI4463CDY-T1-GE3 |
Pd-PowerDissipation | 5 W |
Pd-功率耗散 | 5 W |
Qg-GateCharge | 54 nC |
Qg-栅极电荷 | 54 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 8 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 8 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 0.6 V to - 1.4 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | - 0.6 V to - 1.4 V |
上升时间 | 10 ns |
下降时间 | 11 ns |
产品种类 | MOSFET |
典型关闭延迟时间 | 70 ns |
商标 | Vishay / Siliconix |
商标名 | TrenchFET |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/箱体 | SO-8 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
正向跨导-最小值 | 60 S |
系列 | SI4463CDY |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |