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  • 型号: SI4463CDY-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI4463CDY-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4463CDY-T1-GE3价格参考。VishaySI4463CDY-T1-GE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI4463CDY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI4463CDY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SI4463CDY-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,其主要应用场景包括以下方面:

 1. 电源管理
   - 开关电源 (SMPS):该 MOSFET 可用于 DC-DC 转换器、开关调节器等电路中,作为开关元件实现高效的电压转换。
   - 负载开关:在便携式设备(如智能手机、平板电脑)中用作负载开关,控制电路的通断以降低功耗。
   - 电池保护:用于锂电池管理系统中,防止过充、过放或短路。

 2. 电机驱动
   - 小型电机控制:适用于低功率电机驱动应用,例如风扇、玩具电机或微型泵。
   - H 桥电路:在 H 桥配置中,该 MOSFET 可用于双向电机控制。

 3. 信号切换
   - 信号隔离与切换:用于音频、视频或数据信号的切换,确保信号完整性并减少干扰。
   - 多路复用器:在需要多路输入/输出选择的应用中,MOSFET 可充当电子开关。

 4. 消费电子
   - 便携式设备:广泛应用于手机、笔记本电脑、智能手表等便携式设备中,提供高效的小信号和功率控制。
   - USB 充电端口保护:用于 USB 端口的过流保护和快速充电管理。

 5. 工业应用
   - 传感器接口:在工业自动化中,用于传感器信号的放大和切换。
   - 继电器替代:由于其低导通电阻和快速开关特性,可替代传统机械继电器。

 6. 汽车电子
   - 车身控制模块 (BCM):用于车窗升降、座椅调节等低功率控制场景。
   - LED 驱动:在汽车照明系统中,用于驱动 LED 灯具。

 特性优势
- 低导通电阻 (Rds(on)):降低功率损耗,提高效率。
- 快速开关速度:适合高频应用,减少开关损耗。
- 小封装尺寸:节省 PCB 空间,适合高密度设计。

综上,SI4463CDY-T1-GE3 适用于需要高效功率控制和小信号切换的各种应用场景,特别是在便携式设备、消费电子和工业控制领域中表现优异。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
ChannelMode

Enhancement

Id-ContinuousDrainCurrent

18.6 A

Id-连续漏极电流

18.6 A

品牌

Vishay / Siliconix

产品目录

半导体

描述

MOSFET 20V 18.6A PCH

产品分类

分离式半导体

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4463CDY-T1-GE3

产品型号

SI4463CDY-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

5 W

Pd-功率耗散

5 W

Qg-GateCharge

54 nC

Qg-栅极电荷

54 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

8 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

8 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vds-漏源极击穿电压

- 20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

- 0.6 V to - 1.4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

- 0.6 V to - 1.4 V

上升时间

10 ns

下降时间

11 ns

产品种类

MOSFET

典型关闭延迟时间

70 ns

商标

Vishay / Siliconix

商标名

TrenchFET

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/箱体

SO-8

工厂包装数量

2500

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

正向跨导-最小值

60 S

系列

SI4463CDY

通道模式

Enhancement

配置

Single

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