Datasheet下载- 型号： SI4431BDY-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4431BDY-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4431BDY-T1-E3价格参考￥2.65-￥6.51。VishaySI4431BDY-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4431BDY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4431BDY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4431BDY-T1-E3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，其主要应用场景包括以下几个方面： 1. 电源管理 - DC-DC 转换器：SI4431BDY-T1-E3 适用于开关模式电源（SMPS）中的同步整流和降压/升压转换器。其低导通电阻（Rds(on) = 6.5mΩ 典型值）有助于降低功耗，提高效率。 - 负载开关：在便携式设备中用作高效的负载开关，控制电路的开启和关闭，减少静态电流损耗。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制：可用于驱动小型直流电机或步进电机，提供高效、可靠的开关功能。 - H 桥电路：作为 H 桥的一部分，用于实现电机的正转、反转和制动。 3. 电池管理 - 电池保护电路：在锂电池或可充电电池组中，用于过流保护、短路保护和电池充放电控制。 - 电池切换：在多电池系统中，用于切换不同的电池源以优化能量使用。 4. 消费电子 - 便携式设备：如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等，用作电源路径管理或快速充电电路中的关键组件。 - 音频放大器：在低功率音频应用中，用于信号放大或驱动扬声器。 5. 通信设备 - 网络交换机和路由器：在这些设备中用作电源模块的开关元件，确保高效供电。 - 基站电源：用于基站中的电源分配和管理，支持高可靠性运行。 6. 工业自动化 - 传感器接口：用于工业传感器的电源控制和信号调理。 - 继电器替代：在需要快速开关和长寿命的应用中，取代传统机械继电器。 7. 汽车电子 - 车载电子设备：如信息娱乐系统、车窗升降器、座椅调节等，用于高效开关和控制。 - LED 驱动：用于驱动车内 LED 灯光系统，提供稳定的电流输出。 特性优势 - 低导通电阻：减少传导损耗，提升系统效率。 - 高工作频率：支持高频开关应用，适合现代高效电源设计。 - 小封装尺寸：采用 TSSOP 封装，节省 PCB 空间，适合紧凑型设计。 综上所述，SI4431BDY-T1-E3 广泛应用于各种需要高效开关和低功耗的场景，特别适合便携式设备、电源管理和工业控制等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-SOICMOSFET 30V (D-S) 7.5A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 5.7 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4431BDY-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI4431BDY-T1-E3SI4431BDY-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.5 W |
| Pd-功率耗散 | 1.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 30 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 30 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 47 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 30 毫欧 @ 7.5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4431BDY-T1-E3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 70 ns |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.7A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI4431BDY-E3 |
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