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  • 型号: FQH8N100C
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FQH8N100C产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQH8N100C由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQH8N100C价格参考¥13.41-¥26.94。Fairchild SemiconductorFQH8N100C封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 1000V 8A(Tc) 225W(Tc) TO-247。您可以下载FQH8N100C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQH8N100C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQH8N100C 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。以下是该型号的一些典型应用场景:

 1. 开关电源 (SMPS)
   - FQH8N100C 的高电压耐受能力(100V Vds)使其非常适合用于开关电源中的功率开关。它可以在高频条件下高效地切换电流,适用于降压、升压或反激式转换器。

 2. 电机驱动
   - 在小型直流电机驱动应用中,FQH8N100C 可作为低侧开关,控制电机的启动、停止和速度调节。其低导通电阻(Rds(on) 典型值为 3.5 Ω @ Vgs = 10V)有助于减少功率损耗。

 3. 负载开关
   - 该器件可用于便携式设备中的负载开关,例如智能手机、平板电脑或物联网设备。通过快速开启和关闭负载,可以有效管理功耗并保护电路。

 4. 电池管理
   - 在电池管理系统 (BMS) 中,FQH8N100C 可用作电池保护开关,防止过流、短路或过放电等异常情况。其低漏电流特性有助于延长电池寿命。

 5. 信号切换
   - 在需要高速信号切换的应用中,如音频放大器或数据通信设备,FQH8N100C 的快速开关速度和低栅极电荷特性可以确保信号完整性。

 6. LED 驱动
   - 该 MOSFET 可用于驱动高亮度 LED 灯串,特别是在需要精确电流控制的场景下。它的低 Rds(on) 和良好的热性能有助于提高 LED 照明系统的效率。

 7. 工业控制
   - 在工业自动化领域,FQH8N100C 可用于继电器替代、电磁阀驱动或其他需要大电流切换的场合。其坚固的设计能够承受严苛的工作环境。

 总结
FQH8N100C 凭借其高耐压、低导通电阻和出色的开关性能,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和通信设备等领域。具体选择时需根据实际电路需求(如工作电压、电流和频率)进行匹配设计。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247MOSFET 1000V N-Channel

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

8 A

Id-连续漏极电流

8 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQH8N100CQFET®

数据手册

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产品型号

FQH8N100C

PCN封装

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Pd-PowerDissipation

225 W

Pd-功率耗散

225 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

1.45 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

1.45 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

1 kV

Vds-漏源极击穿电压

1 kV

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

95 ns

下降时间

80 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3220pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

70nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.45 欧姆 @ 4A,10V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-247

典型关闭延迟时间

122 ns

功率-最大值

225W

包装

管件

单位重量

6.390 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247-3

工厂包装数量

150

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

30

漏源极电压(Vdss)

1000V(1kV)

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

8A (Tc)

系列

FQH8N100C

通道模式

Enhancement

配置

Single

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