ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > FQH8N100C
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
FQH8N100C产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQH8N100C由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQH8N100C价格参考¥13.41-¥26.94。Fairchild SemiconductorFQH8N100C封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 1000V 8A(Tc) 225W(Tc) TO-247。您可以下载FQH8N100C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQH8N100C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQH8N100C 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。以下是该型号的一些典型应用场景: 1. 开关电源 (SMPS) - FQH8N100C 的高电压耐受能力(100V Vds)使其非常适合用于开关电源中的功率开关。它可以在高频条件下高效地切换电流,适用于降压、升压或反激式转换器。 2. 电机驱动 - 在小型直流电机驱动应用中,FQH8N100C 可作为低侧开关,控制电机的启动、停止和速度调节。其低导通电阻(Rds(on) 典型值为 3.5 Ω @ Vgs = 10V)有助于减少功率损耗。 3. 负载开关 - 该器件可用于便携式设备中的负载开关,例如智能手机、平板电脑或物联网设备。通过快速开启和关闭负载,可以有效管理功耗并保护电路。 4. 电池管理 - 在电池管理系统 (BMS) 中,FQH8N100C 可用作电池保护开关,防止过流、短路或过放电等异常情况。其低漏电流特性有助于延长电池寿命。 5. 信号切换 - 在需要高速信号切换的应用中,如音频放大器或数据通信设备,FQH8N100C 的快速开关速度和低栅极电荷特性可以确保信号完整性。 6. LED 驱动 - 该 MOSFET 可用于驱动高亮度 LED 灯串,特别是在需要精确电流控制的场景下。它的低 Rds(on) 和良好的热性能有助于提高 LED 照明系统的效率。 7. 工业控制 - 在工业自动化领域,FQH8N100C 可用于继电器替代、电磁阀驱动或其他需要大电流切换的场合。其坚固的设计能够承受严苛的工作环境。 总结 FQH8N100C 凭借其高耐压、低导通电阻和出色的开关性能,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和通信设备等领域。具体选择时需根据实际电路需求(如工作电压、电流和频率)进行匹配设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247MOSFET 1000V N-Channel |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 8 A |
| Id-连续漏极电流 | 8 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQH8N100CQFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQH8N100C |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 225 W |
| Pd-功率耗散 | 225 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.45 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.45 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 1 kV |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 95 ns |
| 下降时间 | 80 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3220pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 70nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.45 欧姆 @ 4A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 典型关闭延迟时间 | 122 ns |
| 功率-最大值 | 225W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 6.390 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 150 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 1000V(1kV) |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 8A (Tc) |
| 系列 | FQH8N100C |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |