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Datasheet下载- 型号： IRFH7932TRPBF
- 制造商： International Rectifier
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IRFH7932TRPBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFH7932TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFH7932TRPBF价格参考。International RectifierIRFH7932TRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 24A（Ta），104A（Tc） 3.4W（Ta） PQFN（5x6）单芯片焊盘。您可以下载IRFH7932TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFH7932TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为IRFH7932TRPBF的器件属于功率MOSFET，具体为单个N沟道增强型MOSFET。该器件广泛应用于需要高效、高频率开关性能的电源管理系统中。 其主要应用场景包括： 1. DC-DC转换器：适用于服务器、通信设备和工业电源中的升压（Boost）或降压（Buck）电路，实现高效的电压变换。 2. 同步整流器：在开关电源（SMPS）中替代传统二极管，提高转换效率，降低损耗。 3. 负载开关与电源管理：用于控制电源通断，保护电路免受过载或短路损害。 4. 电机驱动与功率控制：在电动工具、家电或自动化设备中作为高速开关使用。 5. 电池管理系统（BMS）：用于电动车、储能系统等场景中对电池充放电进行高效控制。 该MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和优异的热性能，适合高频开关应用，有助于减小系统体积并提升能效。封装形式为TISON-8，便于表面贴装，适用于自动化生产流程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 34nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 104 A |
| Id-连续漏极电流 | 104 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFH7932TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFH7932TRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 3.4 W |
| Pd-功率耗散 | 3.4 W |
| Qg-GateCharge | 34 nC |
| Qg-栅极电荷 | 34 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.9 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.9 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.35 V to 2.35 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.35 V to 2.35 V |
| 上升时间 | 48 ns |
| 下降时间 | 20 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4270pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 51nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.3 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PQFN（5x6）单芯片焊盘 |
| 其它名称 | IRFH7932TRPBFCT |
| 典型关闭延迟时间 | 23 ns |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 封装/箱体 | PQFN-8 5X6 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 59 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 24A （Ta）， 104A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfh7932pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfh7932pbf.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
