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  • 型号: PSMN4R3-100ES,127
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN4R3-100ES,127由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN4R3-100ES,127价格参考。NXP SemiconductorsPSMN4R3-100ES,127封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PSMN4R3-100ES,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN4R3-100ES,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia USA Inc. 的型号 PSMN4R3-100ES,127 是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于功率MOSFET类别,适用于高效率、高功率密度的电力电子系统。该器件的主要应用场景包括:

1. 电源转换系统:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器和开关电源(SMPS),用于高效能功率转换。

2. 电机驱动器:适用于工业自动化设备、电动工具和家电中的电机控制电路,提供快速开关和低导通损耗。

3. 电池管理系统(BMS):在电动汽车(EV)、储能系统和便携式设备中,作为高侧或低侧开关,控制电池充放电。

4. 负载开关和电源管理:用于服务器、通信设备和工业控制系统中的负载切换和电源分配。

5. 逆变器应用:如太阳能逆变器和不间断电源(UPS),实现高效能量转换。

PSMN4R3-100ES,127 具有低导通电阻(Rds(on))和高电流能力,适合高频开关操作,有助于提升系统效率并减少散热需求。其封装形式(如TO-220或类似)便于散热设计,适用于中高功率应用场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 100V 120A I2PAKMOSFET N-Ch 100V 4.3 m std level MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

120 A

Id-连续漏极电流

120 A

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN4R3-100ES,127-

数据手册

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产品型号

PSMN4R3-100ES,127

Pd-PowerDissipation

338 W

Pd-功率耗散

338 W

Qg-GateCharge

170 nC

Qg-栅极电荷

170 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

4.3 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

4.3 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

91 ns

下降时间

63 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

9900pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

170nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

4.3 毫欧 @ 25A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

I2PAK

其它名称

568-8596-5
934066116127
PSMN4R3100ES127

功率-最大值

338W

包装

管件

商标

NXP Semiconductors

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

封装/箱体

I2PAK-3

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

120A (Tmb)

配置

Single

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