Datasheet下载- 型号： PSMN4R3-100ES,127
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN4R3-100ES,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN4R3-100ES,127价格参考。NXP SemiconductorsPSMN4R3-100ES,127封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN4R3-100ES,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN4R3-100ES,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia的PSMN4R3-100ES,127是一款高性能N沟道增强型逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56（Power-SO8）封装，具有极低导通电阻（RDS(on)典型值仅4.3 mΩ @ VGS = 10 V，6.0 mΩ @ 4.5 V）、高电流能力（ID连续达120 A）及优异热性能。其主要应用场景包括： - 高效率DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备和工业电源中的同步整流BUCK/BOOST电路，显著降低导通损耗，提升能效（尤其在12V/48V输入系统中）； - 电机驱动与负载开关：适用于无人机电调、电动工具、风机/泵类BLDC驱动的上/下桥臂开关，支持快速开关（tf/tr约15 ns），减少开关损耗； - 电池管理系统（BMS）与电子保险丝：凭借低RDS(on)和强雪崩耐量（UIS额定），可用于电池保护电路中的主充放电通路开关及过流保护； - LED照明驱动与热插拔电路：满足高可靠性要求，支持软启动与浪涌电流抑制。 该器件符合AEC-Q101车规级可靠性标准（部分批次），亦适用于严苛工业环境。其逻辑电平特性（4.5 V驱动即可充分导通）兼容主流MCU/GPIO直接驱动，简化外围设计。需注意PCB布局时加强散热（大面积铜箔+过孔散热）以发挥其120 W功率处理能力。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 120A I2PAKMOSFET N-Ch 100V 4.3 m std level MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 120 A |
| Id-连续漏极电流 | 120 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN4R3-100ES,127- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN4R3-100ES,127 |
| Pd-PowerDissipation | 338 W |
| Pd-功率耗散 | 338 W |
| Qg-GateCharge | 170 nC |
| Qg-栅极电荷 | 170 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.3 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.3 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 91 ns |
| 下降时间 | 63 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9900pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 170nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.3 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 其它名称 | 568-8596-5 |
| 功率-最大值 | 338W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 封装/箱体 | I2PAK-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tmb） |
| 配置 | Single |
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