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RUL035N02TR产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供RUL035N02TR由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RUL035N02TR价格参考。ROHM SemiconductorRUL035N02TR封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 20V 3.5A(Ta) 320mW(Ta) TUMT6。您可以下载RUL035N02TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RUL035N02TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RUL035N02TR 是由罗姆半导体(Rohm Semiconductor)生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。其应用场景主要包括以下几个方面: 1. 开关电源(SMPS) RUL035N02TR 的低导通电阻(典型值为 3.5mΩ)和高效率特性使其非常适合用于开关电源中的功率开关。它能够有效地降低传导损耗,提升电源转换效率,适用于 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器等场景。 2. 电机驱动 该 MOSFET 可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中。其快速开关速度和低功耗特点有助于提高电机控制的精度和效率,同时减少发热问题。常见应用包括家用电器(如风扇、水泵)以及工业自动化设备中的电机控制。 3. 负载开关 在需要高效负载切换的应用中,RUL035N02TR 可作为负载开关使用。例如,在便携式电子设备(如智能手机、平板电脑)中,它可以实现对不同功能模块的动态供电管理,从而延长电池续航时间。 4. 电池保护与管理 此款 MOSFET 常用于锂电池或其他可充电电池组的保护电路中,用于防止过流、短路等情况发生。它的低导通电阻可以最大限度地减少电池放电时的能量损失,确保系统稳定运行。 5. 逆变器与太阳能系统 在小型逆变器或太阳能微逆变器中,RUL035N02TR 可以用作功率级器件,帮助将直流电转换为交流电。其出色的热性能和可靠性使其能够在恶劣环境下长期工作。 6. 汽车电子 随着汽车电气化的发展,RUL035N02TR 还可用于车载电子系统的各种场景,例如车身控制模块(BCM)、LED 照明驱动、电动助力转向(EPS)等。其高耐用性和抗干扰能力满足了汽车级应用的需求。 总结来说,RUL035N02TR 凭借其卓越的电气特性和稳定性,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子以及新能源领域,是一款高性能的功率 MOSFET。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 20V 3.5A TUMT6MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 20V, 3.5A |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平栅极,1.5V 驱动 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 3.5 A |
Id-连续漏极电流 | 3.5 A |
品牌 | Rohm Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RUL035N02TR- |
数据手册 | |
产品型号 | RUL035N02TR |
Pd-PowerDissipation | 1 W |
Pd-功率耗散 | 1 W |
Qg-GateCharge | 5.7 nC |
Qg-栅极电荷 | 5.7 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 31 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 31 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 10 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 1 V |
上升时间 | 20 ns |
下降时间 | 50 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 460pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.7nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 43 毫欧 @ 3.5A,4.5V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TUMT6 |
其它名称 | RUL035N02CT |
典型关闭延迟时间 | 40 ns |
功率-最大值 | 1W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | ROHM Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-SMD,扁平引线 |
封装/箱体 | TUMT-6 |
工具箱 | /product-detail/zh/846-1001-KIT/846-1001-KIT-ND/2277302 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
正向跨导-最小值 | 3.2 S |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.5A (Ta) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single Quad Drain |