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  • 型号: RUL035N02TR
  • 制造商: ROHM Semiconductor
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RUL035N02TR产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供RUL035N02TR由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RUL035N02TR价格参考。ROHM SemiconductorRUL035N02TR封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 20V 3.5A(Ta) 320mW(Ta) TUMT6。您可以下载RUL035N02TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RUL035N02TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

RUL035N02TR 是由罗姆半导体(Rohm Semiconductor)生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。其应用场景主要包括以下几个方面:

1. 开关电源(SMPS)  
   RUL035N02TR 的低导通电阻(典型值为 3.5mΩ)和高效率特性使其非常适合用于开关电源中的功率开关。它能够有效地降低传导损耗,提升电源转换效率,适用于 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器等场景。

2. 电机驱动  
   该 MOSFET 可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中。其快速开关速度和低功耗特点有助于提高电机控制的精度和效率,同时减少发热问题。常见应用包括家用电器(如风扇、水泵)以及工业自动化设备中的电机控制。

3. 负载开关  
   在需要高效负载切换的应用中,RUL035N02TR 可作为负载开关使用。例如,在便携式电子设备(如智能手机、平板电脑)中,它可以实现对不同功能模块的动态供电管理,从而延长电池续航时间。

4. 电池保护与管理  
   此款 MOSFET 常用于锂电池或其他可充电电池组的保护电路中,用于防止过流、短路等情况发生。它的低导通电阻可以最大限度地减少电池放电时的能量损失,确保系统稳定运行。

5. 逆变器与太阳能系统  
   在小型逆变器或太阳能微逆变器中,RUL035N02TR 可以用作功率级器件,帮助将直流电转换为交流电。其出色的热性能和可靠性使其能够在恶劣环境下长期工作。

6. 汽车电子  
   随着汽车电气化的发展,RUL035N02TR 还可用于车载电子系统的各种场景,例如车身控制模块(BCM)、LED 照明驱动、电动助力转向(EPS)等。其高耐用性和抗干扰能力满足了汽车级应用的需求。

总结来说,RUL035N02TR 凭借其卓越的电气特性和稳定性,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子以及新能源领域,是一款高性能的功率 MOSFET。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 20V 3.5A TUMT6MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 20V, 3.5A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平栅极,1.5V 驱动

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

3.5 A

Id-连续漏极电流

3.5 A

品牌

Rohm Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RUL035N02TR-

数据手册

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产品型号

RUL035N02TR

Pd-PowerDissipation

1 W

Pd-功率耗散

1 W

Qg-GateCharge

5.7 nC

Qg-栅极电荷

5.7 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

31 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

31 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vds-漏源极击穿电压

20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

10 V

Vgs-栅源极击穿电压

10 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

1 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1 V

上升时间

20 ns

下降时间

50 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

460pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

5.7nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

43 毫欧 @ 3.5A,4.5V

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TUMT6

其它名称

RUL035N02CT

典型关闭延迟时间

40 ns

功率-最大值

1W

包装

带卷 (TR)

商标

ROHM Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-SMD,扁平引线

封装/箱体

TUMT-6

工具箱

/product-detail/zh/846-1001-KIT/846-1001-KIT-ND/2277302

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

正向跨导-最小值

3.2 S

漏源极电压(Vdss)

20V

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

3.5A (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single Quad Drain

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