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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFB70N60Q2由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFB70N60Q2价格参考。IXYSIXFB70N60Q2封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXFB70N60Q2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFB70N60Q2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFB70N60Q2是一款高性能的N沟道MOSFET,广泛应用于需要高效能功率转换的场合。其主要应用场景包括: 1. 电源转换设备:适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器等,因其高耐压(600V)和大电流能力(70A),可实现高效稳定的电能转换。 2. 电机驱动系统:常用于工业自动化、伺服电机及步进电机的驱动电路中,提供快速开关响应与良好导通损耗表现。 3. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)和光伏逆变器中作为核心功率器件,支持高效的交流/直流能量转换。 4. 照明设备:适用于高强度放电灯(HID)或LED照明的电源管理模块,具备良好的热稳定性和可靠性。 5. 汽车电子:用于车载充电器、电动工具及新能源汽车中的功率控制系统。 该MOSFET采用先进的技术,具备低导通电阻、高雪崩能量承受能力和优良的热性能,适合高频开关应用,是工业与消费类电力电子装置的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 600V 70A PLUS264 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | IXYS |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IXFB70N60Q2 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | HiPerFET™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5.5V @ 8mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 12000pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 265nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 88 毫欧 @ 35A,10V |
供应商器件封装 | PLUS264™ |
功率-最大值 | 890W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-264-3,TO-264AA |
标准包装 | 25 |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 70A (Tc) |