ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRF740ASPBF
Datasheet下载- 型号： IRF740ASPBF
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF740ASPBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF740ASPBF价格参考。VishayIRF740ASPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 400V 10A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK。您可以下载IRF740ASPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF740ASPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的IRF740ASPBF是一种N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于各种电子电路中。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS）：IRF740ASPBF的高开关速度和低导通电阻特性使其非常适合用于开关电源中的开关元件，能够高效地控制电压和电流。 2. 电机驱动：在小型直流电机或步进电机驱动中，该MOSFET可以用作开关器件，通过PWM（脉宽调制）技术实现对电机速度和方向的精确控制。 3. 负载切换：在需要频繁开启或关闭负载的电路中，如LED照明、加热器等应用中，IRF740ASPBF可以作为高效的电子开关，减少能耗并提高系统可靠性。 4. 逆变器：在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中，这种MOSFET可用于将直流电转换为交流电，支持可再生能源系统的高效能量转换。 5. 电池管理：用于电池保护电路中，防止过充、过放以及短路等问题，确保电池的安全使用。 6. 音频放大器：在某些D类音频放大器设计中，MOSFET充当输出级开关角色，提供高效能的声音输出同时降低热量产生。 7. 继电器替代：由于其快速响应时间和长寿命特点，在许多场合下可以取代传统机械继电器来实现信号隔离与功率传输功能。 总之，IRF740ASPBF凭借其优秀的电气性能和稳定性，在众多工业控制、消费电子及汽车电子等领域都有广泛的应用价值。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 400V 10A D2PAKMOSFET N-Chan 400V 10 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 10 A |
| Id-连续漏极电流 | 10 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF740ASPBF- |
| 数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91052 |
| 产品型号 | IRF740ASPBFIRF740ASPBF |
| Pd-PowerDissipation | 3.1 W |
| Pd-功率耗散 | 3.1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 550 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 550 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 400 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 400 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 35 ns |
| 下降时间 | 22 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1030pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 36nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 550 毫欧 @ 6A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | *IRF740ASPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 24 ns |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 功率耗散 | 3.1 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 550 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 4.9 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 400 V |
| 漏极连续电流 | 10 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 400V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A （Tc） |
| 系列 | IRF/SIHF740Ax |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 30 V |
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