【未分类_IRLL024ZPBF】封装/厂家_IRLL024ZPBF中文资料_价格

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详细数据请看参考数据手册

型号： IRLL024ZPBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRLL024ZPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLL024ZPBF价格参考。International RectifierIRLL024ZPBF封装/规格：未分类，暂无。您可以下载IRLL024ZPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLL024ZPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的IRLL024ZPBF是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，广泛应用于多种电力电子场景。以下是该型号的主要应用场景：

 1. 开关电源（SMPS）
   - IRLL024ZPBF具有低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，非常适合用于开关电源中的高频开关应用。
   - 常见于DC-DC转换器、AC-DC适配器以及电源管理模块中。

 2. 电机驱动
   - 适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路，特别是在低电压、低功耗的应用场合。
   - 能够高效控制电机的启动、停止和速度调节。

 3. 电池管理系统（BMS）
   - 在锂电池或其他可充电电池的保护电路中，用作充放电路径的开关。
   - 提供低损耗的电流控制，同时确保系统的安全性和稳定性。

 4. 负载开关
   - 用于消费电子设备（如智能手机、平板电脑等）中的负载开关，实现对不同负载的动态控制。
   - 其低导通电阻特性有助于减少功率损耗，提高效率。

 5. 信号切换与隔离
   - 在需要高频率信号切换的场合，例如音频信号处理或数据通信接口中，作为信号路径的开关使用。
   - 具有良好的电气隔离性能，避免信号干扰。

 6. LED驱动
   - 在LED照明系统中，用于调光控制或恒流驱动。
   - 提供高效的电流调节能力，确保LED的亮度稳定。

 7. 汽车电子
   - 应用于车载电子设备中，如车窗升降器、雨刷电机控制、座椅调节等。
   - 符合汽车级可靠性要求，能够在恶劣环境下正常工作。

 8. 工业自动化
   - 用于工业控制设备中的传感器接口、继电器替代或电磁阀驱动。
   - 支持高可靠性和长寿命的工业应用需求。

 总结
IRLL024ZPBF凭借其低导通电阻（典型值为1.5mΩ）、低栅极电荷和出色的热性能，在各种低电压、大电流的应用场景中表现出色。其紧凑的封装形式（如TO-252/DPAK）也使其适合空间受限的设计环境。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 55V 5A SOT-223MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 60mOhms 7nC
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	5 A
Id-连续漏极电流	5 A
品牌	International Rectifier
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLL024ZPBFHEXFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IRLL024ZPBF
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	2.8 W
Pd-功率耗散	2.8 W
Qg-GateCharge	7 nC
Qg-栅极电荷	7 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	100 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	100 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	55 V
Vds-漏源极击穿电压	55 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	16 V
Vgs-栅源极击穿电压	16 V
上升时间	33 ns
下降时间	15 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	380pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	11nC @ 5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	60 毫欧 @ 3A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	SOT-223
典型关闭延迟时间	20 ns
功率-最大值	1W
功率耗散	2.8 W
包装	管件
商标	International Rectifier
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	100 mOhms
封装	Tube
封装/外壳	TO-261-4，TO-261AA
封装/箱体	SOT-223-3
工厂包装数量	80
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
栅极电荷Qg	7 nC
标准包装	80
汲极/源极击穿电压	55 V
漏极连续电流	5 A
漏源极电压(Vdss)	55V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	5A （Tc）
设计资源	http://www.irf.com/product-info/models/saber/irll024z.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irll024z.spi
通道模式	Enhancement
配置	Single Dual Drain
闸/源击穿电压	16 V