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IRFPC60PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFPC60PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFPC60PBF价格参考。VishayIRFPC60PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 16A(Tc) 280W(Tc) TO-247-3。您可以下载IRFPC60PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFPC60PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFPC60PBF 是 Vishay Siliconix 生产的一款 P 沟道增强型 MOSFET,常用于电源管理和开关电路中。其主要应用场景包括: 1. 电源开关电路:适用于 DC-DC 转换器、负载开关及电池供电设备中的电源控制,具备低导通电阻和快速开关特性,有助于提高系统效率。 2. 电机控制:在小型电机驱动电路中作为功率开关使用,适用于电动工具、风扇控制和自动化设备。 3. 逆变器与电源转换系统:用于逆变器、UPS(不间断电源)和电源管理系统中,实现高效的能量转换。 4. 汽车电子:适用于车载电源系统、车载充电器及车身控制模块,满足汽车电子对可靠性和耐温性的要求。 5. 工业控制:在工业自动化系统中用于继电器替代、固态开关及高边/低边开关控制。 该器件采用先进的沟槽工艺,具有高雪崩耐量和良好的热稳定性,适合在中高功率应用中使用。其封装形式为 TO-220AB,便于散热和安装,广泛应用于各类中高功率电子设备中。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 600V 16A TO-247ACMOSFET N-Chan 600V 16 Amp |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 16 A |
Id-连续漏极电流 | 16 A |
品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFPC60PBF- |
数据手册 | |
产品型号 | IRFPC60PBFIRFPC60PBF |
Pd-PowerDissipation | 280 W |
Pd-功率耗散 | 280 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 400 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 400 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 54 ns |
下降时间 | 56 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3900pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 210nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 400 毫欧 @ 9.6A,10V |
产品目录绘图 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-247-3 |
其它名称 | *IRFPC60PBF |
典型关闭延迟时间 | 110 ns |
功率-最大值 | 280W |
包装 | 管件 |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247-3 |
工厂包装数量 | 500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 25 |
正向跨导-最小值 | 13 S |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 16A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |