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STP10NK70ZFP产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STP10NK70ZFP由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP10NK70ZFP价格参考¥23.80-¥24.70。STMicroelectronicsSTP10NK70ZFP封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 700V 8.6A(Tc) 35W(Tc) TO-220FP。您可以下载STP10NK70ZFP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STP10NK70ZFP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STP10NK70ZFP 是由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,属于晶体管 - FET,MOSFET - 单类别的产品。该型号的主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS) - STP10NK70ZFP 的高电压耐受能力(700V)使其非常适合用于开关电源中的高压开关应用,例如 AC-DC 转换器、反激式转换器和正激式转换器。 - 其低导通电阻(Rds(on) = 1.4Ω @ Vgs=10V)有助于减少导通损耗,提高电源效率。 2. 电机驱动 - 适用于中小功率的电机驱动电路,例如步进电机、直流无刷电机(BLDC)和有刷直流电机。 - 在电机控制中,可以作为高频开关元件或负载切换开关使用。 3. 固态继电器(SSR) - 由于其高耐压特性和低导通电阻,STP10NK70ZFP 可用作固态继电器的核心开关元件,替代传统的机械继电器。 - 应用于工业自动化设备、家用电器和照明控制等场景。 4. 家电与消费电子 - 常见于需要高压开关的应用中,如电磁炉、电饭煲、空调压缩机驱动、洗衣机等家用电器。 - 也可用于音频放大器中的保护电路或负载切换。 5. 汽车电子 - 在汽车电子领域,可用于启动电路、负载切换、LED 照明驱动以及电池管理系统(BMS)中的保护电路。 - 其高可靠性设计适合恶劣的工作环境。 6. 逆变器与太阳能系统 - 在小型逆变器中作为主开关元件使用,帮助实现 DC-AC 转换。 - 可用于太阳能微逆变器或离网逆变器的功率级电路。 7. 过流保护与负载开关 - 用于过流保护电路中,防止下游电路因电流过大而损坏。 - 在负载开关应用中,提供快速响应和低功耗特性。 总结 STP10NK70ZFP 凭借其高耐压、低导通电阻和优异的开关性能,广泛应用于工业、家电、汽车和消费电子领域。它特别适合需要高效能、高可靠性和高压操作的场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 700V 8.6A TO-220FPMOSFET N-Ch, 700V-0.75ohms Zener SuperMESH 8.6A |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 8.6 A |
Id-连续漏极电流 | 8.6 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP10NK70ZFPSuperMESH™ |
数据手册 | |
产品型号 | STP10NK70ZFP |
Pd-PowerDissipation | 35 W |
Pd-功率耗散 | 35 W |
Qg-GateCharge | 64 nC |
Qg-栅极电荷 | 64 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 850 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 850 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 700 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 700 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3.75 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 3.75 V |
上升时间 | 19 ns |
下降时间 | 19 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 100µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2000pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 90nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 850 毫欧 @ 4.5A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220FP |
其它名称 | 497-12602-5 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1168/PF223236?referrer=70071840 |
典型关闭延迟时间 | 46 ns |
功率-最大值 | 35W |
包装 | 管件 |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
封装/箱体 | TO-220FP-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
正向跨导-最小值 | 7.7 S |
漏源极电压(Vdss) | 700V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 8.6A (Tc) |
系列 | STP10NK70ZFP |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |