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Datasheet下载- 型号： IRF6648TR1PBF
- 制造商： International Rectifier
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IRF6648TR1PBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF6648TR1PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF6648TR1PBF价格参考￥2.30-￥6.19。International RectifierIRF6648TR1PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 60V 86A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET™ MN。您可以下载IRF6648TR1PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF6648TR1PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌）的型号为IRF6648TR1PBF的MOSFET，属于N沟道功率MOSFET，广泛应用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统中。以下是其典型应用场景： 1. 电源管理系统：该器件适用于DC-DC转换器、AC-DC电源适配器等电源管理模块，因其低导通电阻（Rds(on)）可减少功率损耗，提高效率。 2. 电机驱动：常用于直流电机控制、步进电机驱动器及电动工具中，具备快速开关特性，有助于实现精准调速与高效能运作。 3. 工业自动化设备：在PLC、伺服驱动器及工业逆变器中作为功率开关元件，支持高频操作与稳定运行。 4. 汽车电子：适用于车载充电系统、电池管理系统（BMS）以及车身控制模块，符合汽车行业对可靠性与耐久性的要求。 5. 消费类电子产品：如笔记本电脑电源管理、智能家电中的功率控制部分，因其封装小型化且易于散热设计，适合紧凑型电路布局。 6. 太阳能逆变器与储能系统：用于能量转换环节，帮助提升能源利用效率，适应可再生能源系统的高效率需求。 总之，IRF6648TR1PBF凭借其优良的导通性能、耐用性和封装优势，在多种高频率、高效率的功率应用中具有广泛适用性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFETMOSFET MOSFT 60V 86A 7.0mOhm 36nC Qg |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 86 A |
| Id-连续漏极电流 | 86 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF6648TR1PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF6648TR1PBF |
| PCN其它 | |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 89 W |
| Pd-功率耗散 | 89 W |
| Qg-GateCharge | 36 nC |
| Qg-栅极电荷 | 36 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 7 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4.9 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4.9 V |
| 上升时间 | 29 ns |
| 下降时间 | 13 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.9V @ 150µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2120pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 50nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7 毫欧 @ 17A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | DIRECTFET™ MN |
| 其它名称 | IRF6648TR1PBFCT |
| 功率-最大值 | 2.8W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | DirectFET™ 等容 MN |
| 封装/箱体 | DirectFET-7 MN |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 31 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 86A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf6648.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf6648.spi |
| 配置 | Single |
