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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CPH3360-TL-H由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CPH3360-TL-H价格参考。ON SemiconductorCPH3360-TL-H封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CPH3360-TL-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CPH3360-TL-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CPH3360-TL-H是安森美(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,属于低压、大电流应用的功率MOSFET。该器件采用1.2mΩ的超低导通电阻(RDS(on)),可有效降低导通损耗,提高系统效率,适用于高效率电源管理场景。 其主要应用场景包括:便携式电子设备中的负载开关和电源管理模块,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑;电池管理系统(BMS)中的充放电控制与保护电路;DC-DC转换器,特别是在同步整流结构中作为低侧或高侧开关,提升转换效率;以及各类消费类电子产品中的电机驱动、LED驱动和热插拔电源控制等。 由于CPH3360-TL-H具有小型化封装(如PowerPAK SO-8),散热性能良好,适合空间受限但对功率密度要求较高的设计。同时,其快速开关特性有助于减少开关损耗,适用于高频工作环境。在工业控制、通信电源及物联网设备中也广泛应用。 综上,CPH3360-TL-H凭借低导通电阻、高效率和紧凑封装,广泛用于需要高效能、小体积的电源开关和功率控制场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 1.6A CPH3MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 1.6 A |
| Id-连续漏极电流 | - 1.6 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor CPH3360-TL-H- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | CPH3360-TL-H |
| Pd-PowerDissipation | 0.9 W |
| Pd-功率耗散 | 900 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 303 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 303 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 82pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2.2nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 303 毫欧 @ 800mA,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 3-CPH |
| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.6A (Ta) |
| 系列 | CPH3360 |