Datasheet下载- 型号： NDF04N62ZG
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NDF04N62ZG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NDF04N62ZG价格参考￥1.65-￥1.75。ON SemiconductorNDF04N62ZG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NDF04N62ZG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NDF04N62ZG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美半导体）的NDF04N62ZG是一款N沟道MOSFET晶体管，其主要应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 开关电源（SMPS）：NDF04N62ZG具有低导通电阻（Rds(on)）和高击穿电压（Vds），非常适合用于开关电源中的功率开关。它能够高效地控制电流的开与关，从而实现稳定的电压输出。 2. 直流-直流转换器（DC-DC Converter）：在降压或升压转换器中，该MOSFET可以用作主开关器件，通过快速切换来调节输出电压，满足不同负载的需求。 3. 电机驱动：这款MOSFET适用于小型电机驱动电路，例如风扇、泵或其他低功率电机。它可以提供足够的电流驱动能力，同时保持较低的功耗。 4. 负载开关：在需要动态管理电源分配的应用中，如便携式电子设备，NDF04N62ZG可用作高效的负载开关，以减少待机功耗并保护下游电路免受过流影响。 5. 电池管理系统（BMS）：此MOSFET可用于电池充放电路径控制，确保电池安全运行，并防止过充、过放以及短路等问题。 6. 逆变器和太阳能微逆变器：在可再生能源领域，该器件可以参与构建逆变器的核心部分，将直流电转化为交流电供家庭或工业使用。 7. 汽车电子应用：尽管具体车规认证信息需查阅数据手册确认，但类似规格的MOSFET常被用于汽车内部各种控制模块，比如LED照明、电动座椅调整等非核心动力系统组件。 总之，NDF04N62ZG凭借其出色的电气特性和可靠性，广泛应用于消费类电子产品、工业自动化设备以及绿色能源解决方案等领域。选择合适的外围电路设计对于发挥其最佳性能至关重要。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 620V 2OHM TO220FPMOSFET NFET TO220FP 620V 2 OHM |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.4 A |
| Id-连续漏极电流 | 4.4 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NDF04N62ZG- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NDF04N62ZG |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 28 W |
| Pd-功率耗散 | 28 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 620 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 620 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 50µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 535pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2 欧姆 @ 2A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220FP |
| 其它名称 | NDF04N62ZG-ND |
| 功率-最大值 | 28W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 620V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.4A （Tc） |
| 配置 | Single |
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