ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > IRFZ24NSTRLPBF
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
IRFZ24NSTRLPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFZ24NSTRLPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFZ24NSTRLPBF价格参考。International RectifierIRFZ24NSTRLPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 55V 17A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) D2PAK。您可以下载IRFZ24NSTRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFZ24NSTRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为IRFZ24NSTRLPBF的MOSFET,属于N沟道增强型功率场效应晶体管(FET),广泛应用于需要高效开关和功率控制的电子电路中。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)等,用于高效能的电压转换与稳压,尤其适合低电压高电流的应用环境。 2. 电机控制:在电动工具、风扇、泵等小型电机驱动电路中,作为开关元件使用,实现对电机转速和方向的精确控制。 3. 负载开关:用于电池供电设备中的负载切换,如笔记本电脑、平板、智能家电等,具有低导通电阻,有助于提高能效。 4. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)和小型逆变器中,作为功率开关,实现直流电到交流电的转换。 5. 汽车电子:适用于车载电源系统、LED照明驱动、继电器替代等场景,具备良好的热稳定性和可靠性。 该器件采用表面贴装封装(如TO-252),适合自动化装配,具备低导通电阻、高开关速度和较强的耐用性,适合中低功率应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| Ciss-输入电容 | 370 pF |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 17A D2PAKMOSFET MOSFT 55V 17A 70mOhm 13.3nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 17 A |
| Id-连续漏极电流 | 17 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFZ24NSTRLPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFZ24NSTRLPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 45 W |
| Pd-功率耗散 | 3.8 W |
| Qg-GateCharge | 13.3 nC |
| Qg-栅极电荷 | 20 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 70 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 70 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 34 ns |
| 下降时间 | 27 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 370pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 70 毫欧 @ 10A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | IRFZ24NSTRLPBF-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 19 ns |
| 功率-最大值 | 3.8W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 70 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 800 |
| 正向跨导-最小值 | 4.5 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 55 V |
| 漏极连续电流 | 17 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 17A (Tc) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irfz24ns.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irfz24ns.spi |
| 配置 | Single |