Datasheet下载- 型号： FQI17P06TU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQI17P06TU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQI17P06TU价格参考。Fairchild SemiconductorFQI17P06TU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQI17P06TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQI17P06TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQI17P06TU 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该型号具有以下关键参数：VDS（漏源电压）为 60V，RDS(on)（导通电阻）低至 15mΩ（典型值），并且支持较高的连续漏极电流（ID）达 23A（在 25°C 下）。其封装形式为 TO-263-3/DPak (SMD)，适合表面贴装应用。 以下是 FQI17P06TU 的主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS） FQI17P06TU 的低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于开关电源中的功率开关。它能够高效地控制电流的开断，降低功耗并提高系统效率。 2. 电机驱动 在小型直流电机或步进电机驱动中，该 MOSFET 可用作功率级开关，实现对电机速度和方向的精确控制。其低 RDS(on) 特性有助于减少发热，延长设备寿命。 3. 负载切换 该器件适用于需要频繁开启和关闭负载的应用场景，例如汽车电子、工业控制或消费类电子产品中的负载切换电路。 4. 电池管理系统（BMS） 在电池保护和管理电路中，FQI17P06TU 可作为充电/放电路径的开关，确保电池的安全运行，并防止过流或短路。 5. LED 驱动器 由于其低导通损耗特性，该 MOSFET 也适用于高亮度 LED 驱动电路，提供高效的电流调节功能。 6. DC-DC 转换器 在降压或升压 DC-DC 转换器中，FQI17P06TU 可用作主开关管，以实现高效的电压转换。 7. 通信设备和消费电子 它还可广泛应用于手机充电器、笔记本电脑适配器、路由器等消费类电子产品中，作为功率开关或保护元件。 总之，FQI17P06TU 凭借其出色的电气性能和紧凑的封装设计，非常适合各种需要高效功率开关的应用场合，特别是在中小功率范围内的电子产品中表现优异。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 17A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FQI17P06TU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 900pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 27nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 120 毫欧 @ 8.5A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 功率-最大值 | 3.75W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 17A （Tc） |
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