ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > STN1NF20
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
STN1NF20产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STN1NF20由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STN1NF20价格参考¥1.34-¥1.75。STMicroelectronicsSTN1NF20封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 200V 1A(Tc) 2W(Ta) SOT-223。您可以下载STN1NF20参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STN1NF20 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STN1NF20 是 STMicroelectronics(意法半导体)生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,属于晶体管 - FET/MOSFET - 单类别。以下是该型号的主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS) - STN1NF20 常用于开关电源的设计中,作为主开关管或同步整流管。其高电压耐受能力(最大漏源极电压 Vds = 200V)使其适合应用于高压输入环境,例如适配器、充电器和 DC-DC 转换器。 2. 电机驱动与控制 - 在小型电机驱动应用中,STN1NF20 可用作功率开关,控制电机的启停、速度调节和方向切换。例如,它适用于家用电器中的风扇、水泵等低功率电机控制系统。 3. 逆变器与太阳能系统 - 该器件可用于小型逆变器设计,将直流电转换为交流电。在太阳能微逆变器或电池管理系统中,STN1NF20 能够提供稳定的开关性能,支持高效的能量转换。 4. 负载开关与保护电路 - STN1NF20 的低导通电阻(Rds(on) 最大值约为 6Ω,在 Vgs = 10V 时)使其成为负载开关的理想选择。它可以用于过流保护、短路保护以及电子设备的电源管理。 5. 音频放大器 - 在一些低成本音频放大器设计中,STN1NF20 可用作输出级功率开关,实现音频信号的放大和驱动扬声器功能。 6. 继电器替代 - 由于其快速开关特性和可靠性,STN1NF20 可以替代传统的机械继电器,用于需要频繁开关的应用场景,如汽车电子、工业控制和家用电器。 7. LED 驱动 - 在高亮度 LED 照明应用中,STN1NF20 可用于恒流驱动电路,确保 LED 的亮度稳定并延长其使用寿命。 总结 STN1NF20 的典型应用场景包括开关电源、电机驱动、逆变器、负载开关、音频放大器、继电器替代和 LED 驱动等领域。其高电压耐受能力、低导通电阻和快速开关特性,使其成为许多低功率至中功率应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223MOSFET N-Channel 1.1 Ohm 200V 1A STripFET II |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1 A |
| Id-连续漏极电流 | 1 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STN1NF20STripFET™ II |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STN1NF20 |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| Qg-GateCharge | 5.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 5.7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.5 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.5 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 5.6 ns |
| 下降时间 | 12.4 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 90pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.7nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.5 欧姆 @ 500mA,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | 497-12273-2 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1166/PF250436?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1A (Tc) |
| 系列 | STN1NF20 |
| 配置 | Single |