Datasheet下载- 型号： SI6463BDQ-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI6463BDQ-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI6463BDQ-T1-E3价格参考。VishaySI6463BDQ-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI6463BDQ-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI6463BDQ-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI6463BDQ-T1-E3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，常用于电源管理和负载开关等应用场景。该器件采用 8-TDFN 封装，具有低导通电阻、高效率和快速开关特性，适用于对空间和能效要求较高的电子设备。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于 DC-DC 转换器、同步整流器和电池供电设备中的功率开关，提高能效并减小电路体积。 2. 负载开关：在笔记本电脑、平板电脑和智能手机等便携设备中，作为控制电源通断的开关元件，实现低功耗管理。 3. 马达驱动与继电器替代：用于小型电机控制或固态继电器，提供无机械磨损的高可靠性开关方案。 4. 工业控制：在工业自动化设备中作为功率控制元件，如传感器电源控制、小型执行器驱动等。 5. 热插拔电路：用于服务器和通信设备中的热插拔保护电路，防止插拔过程中电流冲击。 其低栅极电荷和良好的热稳定性使其在高频开关应用中表现优异，适合需要高效能与高稳定性的设计需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOPMOSFET 20V 7.5A 1.5W |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7.4 A |
| Id-连续漏极电流 | 7.4 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?72018 |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI6463BDQ-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | http://www.vishay.com/doc?72018 |
| 产品型号 | SI6463BDQ-T1-E3SI6463BDQ-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.5 W |
| Pd-功率耗散 | 1.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 15 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 15 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 40 ns |
| 下降时间 | 40 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 800mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 60nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 15 毫欧 @ 7.4A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
| 其它名称 | SI6463BDQ-T1-E3TR |
| 典型关闭延迟时间 | 190 ns |
| 功率-最大值 | 1.05W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 封装/箱体 | TSSOP-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.2A （Ta） |
| 系列 | SI6463BDQ |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI6463BDQ-E3 |
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