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Datasheet下载- 型号： SI7106DN-T1-E3
- 制造商： Vishay
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SI7106DN-T1-E3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7106DN-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7106DN-T1-E3价格参考。VishaySI7106DN-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 20V 12.5A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK® 1212-8。您可以下载SI7106DN-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7106DN-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7106DN-T1-E3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，常用于需要高效功率控制的电子电路中。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高效率和良好的热稳定性，适用于多种电源管理和负载开关应用场景。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、同步整流器及负载开关，提高系统能效。 2. 电池供电设备：如笔记本电脑、平板电脑和手持设备中，作为高效的电源开关或保护元件。 3. 电机控制与驱动电路：在小型电机或继电器驱动电路中作为开关元件使用。 4. 负载切换与配电系统：用于智能配电系统中对不同负载进行快速、可靠的切换。 5. 工业自动化设备：在PLC、传感器模块和控制单元中实现低功耗、高性能的开关功能。 6. 汽车电子：适用于车载电源系统、LED照明驱动等对可靠性要求较高的场景。 其封装形式为8引脚DFN，体积小、便于布局，适合高密度PCB设计。总体而言，SI7106DN-T1-E3是一款性能稳定、应用广泛的P沟道MOSFET，适用于多种中低功率电子系统的设计与优化。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8MOSFET 20V 19.5A 0.0062Ohm |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，2.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 12.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 12.5 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7106DN-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7106DN-T1-E3SI7106DN-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.5 W |
| Pd-功率耗散 | 1.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 6.2 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 6.2 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 15 ns |
| 下降时间 | 15 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 27nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.2 毫欧 @ 19.5A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 其它名称 | SI7106DN-T1-E3TR |
| 典型关闭延迟时间 | 50 ns |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET/PowerPAK |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 6.2 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK 1212-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 20 V |
| 漏极连续电流 | 12.5 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12.5A （Ta） |
| 系列 | SI71xxDx |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI7106DN-E3 |
