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IRFL9014PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFL9014PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFL9014PBF价格参考。VishayIRFL9014PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 60V 1.8A(Tc) 2W(Ta),3.1W(Tc) SOT-223。您可以下载IRFL9014PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFL9014PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的IRFL9014PBF是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于各种电力电子领域。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - 开关电源(SMPS):作为开关元件,用于DC-DC转换器、AC-DC适配器等。 - 电压调节模块(VRM):用于计算机主板和图形卡中的电压调节电路。 - 负载开关:控制电路中负载的通断,保护系统免受过流或短路的影响。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制:适用于玩具、家用电器(如风扇、泵)中的电机驱动。 - H桥电路:用于双向电机控制,实现正转、反转功能。 3. 电池管理系统(BMS) - 电池充放电保护:通过控制MOSFET的导通和关断,防止电池过充或过放。 - 电池均衡:在多节电池组中,用于平衡单体电池电压。 4. 信号切换 - 高速信号切换:利用其低栅极电荷特性,实现快速开关,适用于高频信号切换。 - 音频信号切换:在音频设备中,用于切换不同的输入源。 5. 汽车电子 - 车载电子设备:用于车窗升降、座椅调节、雨刷器等低功率应用。 - LED照明驱动:控制车内外LED灯的亮度和开关。 6. 消费类电子产品 - 便携式设备:如平板电脑、智能手机充电器中的电源管理。 - 游戏机和音频设备:用于功率放大和信号处理。 特性优势 - 低导通电阻(Rds(on)):降低功耗,提高效率。 - 高击穿电压(Vds):适合高压环境下的应用。 - 快速开关速度:减少开关损耗,适用于高频电路。 总之,IRFL9014PBF凭借其优异的性能,广泛应用于需要高效功率转换和精确控制的场景中。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223MOSFET P-Chan 60V 1.8 Amp |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 1.8 A |
Id-连续漏极电流 | 1.8 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFL9014PBF- |
数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91195 |
产品型号 | IRFL9014PBFIRFL9014PBF |
Pd-PowerDissipation | 2 W |
Pd-功率耗散 | 2 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 500 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 500 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 63 ns |
下降时间 | 31 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 270pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 500 毫欧 @ 1.1A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SOT-223 |
典型关闭延迟时间 | 9.6 ns |
功率-最大值 | 2W |
功率耗散 | 2 W |
包装 | 管件 |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 500 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
封装/箱体 | SOT-223-3 |
工厂包装数量 | 4000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 4,000 |
汲极/源极击穿电压 | - 60 V |
漏极连续电流 | 1.8 A |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.8A (Tc) |
系列 | IRF/SIHFL9014 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single Dual Drain |
闸/源击穿电压 | +/- 20 V |