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  • 型号: IRFL9014PBF
  • 制造商: Vishay
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IRFL9014PBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFL9014PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFL9014PBF价格参考。VishayIRFL9014PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 60V 1.8A(Tc) 2W(Ta),3.1W(Tc) SOT-223。您可以下载IRFL9014PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFL9014PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix品牌的IRFL9014PBF是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于各种电力电子领域。以下是其主要应用场景:

 1. 电源管理
   - 开关电源(SMPS):作为开关元件,用于DC-DC转换器、AC-DC适配器等。
   - 电压调节模块(VRM):用于计算机主板和图形卡中的电压调节电路。
   - 负载开关:控制电路中负载的通断,保护系统免受过流或短路的影响。

 2. 电机驱动
   - 小型直流电机控制:适用于玩具、家用电器(如风扇、泵)中的电机驱动。
   - H桥电路:用于双向电机控制,实现正转、反转功能。

 3. 电池管理系统(BMS)
   - 电池充放电保护:通过控制MOSFET的导通和关断,防止电池过充或过放。
   - 电池均衡:在多节电池组中,用于平衡单体电池电压。

 4. 信号切换
   - 高速信号切换:利用其低栅极电荷特性,实现快速开关,适用于高频信号切换。
   - 音频信号切换:在音频设备中,用于切换不同的输入源。

 5. 汽车电子
   - 车载电子设备:用于车窗升降、座椅调节、雨刷器等低功率应用。
   - LED照明驱动:控制车内外LED灯的亮度和开关。

 6. 消费类电子产品
   - 便携式设备:如平板电脑、智能手机充电器中的电源管理。
   - 游戏机和音频设备:用于功率放大和信号处理。

 特性优势
- 低导通电阻(Rds(on)):降低功耗,提高效率。
- 高击穿电压(Vds):适合高压环境下的应用。
- 快速开关速度:减少开关损耗,适用于高频电路。

总之,IRFL9014PBF凭借其优异的性能,广泛应用于需要高效功率转换和精确控制的场景中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223MOSFET P-Chan 60V 1.8 Amp

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

1.8 A

Id-连续漏极电流

1.8 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFL9014PBF-

数据手册

http://www.vishay.com/doc?91195

产品型号

IRFL9014PBFIRFL9014PBF

Pd-PowerDissipation

2 W

Pd-功率耗散

2 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

500 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

500 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 60 V

Vds-漏源极击穿电压

- 60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

63 ns

下降时间

31 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

270pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

12nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

500 毫欧 @ 1.1A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-223

典型关闭延迟时间

9.6 ns

功率-最大值

2W

功率耗散

2 W

包装

管件

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

500 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-261-4,TO-261AA

封装/箱体

SOT-223-3

工厂包装数量

4000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

4,000

汲极/源极击穿电压

- 60 V

漏极连续电流

1.8 A

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

1.8A (Tc)

系列

IRF/SIHFL9014

通道模式

Enhancement

配置

Single Dual Drain

闸/源击穿电压

+/- 20 V

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