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Datasheet下载- 型号： STB13NM60N
- 制造商： STMicroelectronics
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STB13NM60N产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STB13NM60N由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB13NM60N价格参考。STMicroelectronicsSTB13NM60N封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 600V 11A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount D2PAK。您可以下载STB13NM60N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STB13NM60N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）生产的STB13NM60N是一款N沟道增强型高压MOSFET，属于晶体管中的功率MOSFET类别。该器件具有600V的漏源击穿电压和约13A的连续漏极电流能力，导通电阻低，具备良好的开关性能和热稳定性。 STB13NM60N主要适用于高电压、中等电流的开关电源应用。典型应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：广泛用于AC-DC转换器中，如适配器、充电器、PC电源等，作为主开关管使用，实现高效电能转换。 2. 照明电源：应用于电子镇流器、LED驱动电源等，支持高效率和高可靠性工作。 3. 电机控制：在小功率工业电机或家用电器（如风扇、洗衣机）的控制电路中，作为功率开关元件。 4. 逆变器与UPS系统：用于不间断电源、太阳能逆变器等设备中，承担直流到交流的转换任务。 5. 工业电源模块：适用于各类工业控制设备中的隔离式或非隔离式电源设计。 由于其采用TO-220FP或类似封装，散热性能良好，适合安装在散热片上长期运行。同时，STB13NM60N具备高抗雪崩能力和优良的dv/dt抗扰度，增强了系统在恶劣工作环境下的可靠性。 综上，STB13NM60N是一款适用于多种高电压开关电源场景的高性能MOSFET，特别适合追求效率、稳定性和紧凑设计的工业与消费类电子产品。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STB13NM60N |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | MDmesh™ II |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 790pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 360 毫欧 @ 5.5A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 497-10984-6 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF223979?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 90W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11A （Tc） |
