Datasheet下载- 型号： DMN2990UFZ-7B
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN2990UFZ-7B由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN2990UFZ-7B价格参考￥0.39-￥0.39。Diodes Inc.DMN2990UFZ-7B封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DMN2990UFZ-7B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMN2990UFZ-7B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
DMN2990UFZ-7B 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 N 通道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：该器件适用于各种电源管理应用，例如 DC-DC 转换器、负载开关和 LDO（低压差稳压器）。由于其低导通电阻（Rds(on)），可以有效降低功率损耗，提高效率。 2. 便携式设备：由于其小型封装（如 MicroFET™ 封装）和低功耗特性，DMN2990UFZ-7B 非常适合用于手机、平板电脑、可穿戴设备等对空间和能效要求较高的便携式电子设备中。 3. 电机控制：可用于小型直流电机的驱动与控制，例如风扇、泵或玩具电机。其快速开关能力和良好的热性能使其能够稳定运行。 4. 信号切换：在需要高频信号切换的应用中，这款 MOSFET 可以作为高效的开关元件，适用于 USB 开关、音频信号切换等领域。 5. 电池保护：在电池管理系统中，可以用作电池充放电路径的开关，提供过流保护和短路保护功能。 6. 汽车电子：尽管 DMN2990UFZ-7B 主要针对消费类电子产品设计，但在某些非关键性的汽车子系统中（如车内照明、音响系统等），也可以发挥作用。 总之，DMN2990UFZ-7B 凭借其出色的电气特性和紧凑的设计，在众多低电压、低功耗的应用场合中表现出色，特别适合需要高效能和小尺寸解决方案的场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V .25A 3DFN |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | DMN2990UFZ-7B |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 55.2pF @ 16V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 990 毫欧 @ 100mA，4.5V |
| 供应商器件封装 | * |
| 其它名称 | DMN2990UFZ-7BDIDKR |
| 功率-最大值 | 320mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 250mA （Ta） |
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