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Datasheet下载- 型号： SI4630DY-T1-E3
- 制造商： Vishay
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SI4630DY-T1-E3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4630DY-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4630DY-T1-E3价格参考。VishaySI4630DY-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 25V 40A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO。您可以下载SI4630DY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4630DY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI4630DY-T1-E3是一款N沟道增强型MOSFET，其主要应用场景包括以下几个方面： 1. 电源管理：该器件适用于各种电源管理应用，例如DC-DC转换器、负载开关和降压/升压转换器。它的低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少功率损耗，提高效率。 2. 电池保护：在便携式设备中，SI4630DY-T1-E3可用于电池保护电路，以防止过流、短路或反向电流对电池造成损害。 3. 电机驱动：该MOSFET适合用于小型直流电机驱动，能够提供高效的开关性能，并支持PWM调速功能。 4. 信号切换：在音频、视频或其他信号切换应用中，这款MOSFET可以用作模拟开关，实现低失真和高可靠性的信号传输。 5. 消费类电子产品：广泛应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑以及其他便携式电子设备中的电源管理和信号控制。 6. 通信设备：适用于基站、路由器等通信设备中的电源模块和信号处理部分，确保高效稳定的运行。 7. 汽车电子：尽管其电压和电流规格可能更适合较低功率的应用，但在某些车载信息娱乐系统或传感器接口中也能发挥作用。 总之，SI4630DY-T1-E3凭借其出色的电气特性和紧凑封装（如DFN封装），成为众多低功耗、高效率应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOICMOSFET 25V 36A 7.8W 2.7mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 27 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?73685 |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4630DY-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI4630DY-T1-E3SI4630DY-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 3.5 W |
| Pd-功率耗散 | 3.5 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.7 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| 上升时间 | 122 ns, 93 ns |
| 下降时间 | 15 ns, 9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6670pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 161nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.7 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4630DY-T1-E3TR |
| 典型关闭延迟时间 | 47 ns, 60 ns |
| 功率-最大值 | 7.8W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 2.7 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 汲极/源极击穿电压 | 25 V |
| 漏极连续电流 | 27 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 40A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI4630DY-E3 |
