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  • 型号: SIHG22N50D-GE3
  • 制造商: Vishay
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SIHG22N50D-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIHG22N50D-GE3价格参考。VishaySIHG22N50D-GE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SIHG22N50D-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIHG22N50D-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SIHG22N50D-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,具有 500V 耐压和 22A 电流能力,适用于高效率、高频率的功率转换场景。该器件采用 TO-243AA 封装,具备低导通电阻和优良的热性能,适合用于以下应用场景:

1. 电源适配器与充电器:适用于笔记本电脑、手机等便携设备的高效率 AC-DC 电源转换器,提高能效并减小体积。

2. DC-DC 转换器:在服务器、通信设备和工业电源中用于高效的电压调节和隔离式电源设计。

3. 电机驱动:适用于工业自动化、电动工具和家电中的电机控制电路,提供高可靠性和快速开关性能。

4. 照明系统:如 LED 驱动器和 HID 灯镇流器,支持高频率开关,提高系统效率和稳定性。

5. 逆变器与太阳能系统:用于光伏逆变器中的功率转换环节,提高能量转换效率。

6. 电源管理模块:广泛用于各类电源管理系统中,实现高效的能量分配与控制。

该 MOSFET 在高电压和中高功率应用中表现出色,具备良好的耐用性和热稳定性,是工业与消费类电源设计中的常用器件。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 500V 22A TO-247ACMOSFET 500V 230mOhm@10V 22A N-Ch D-SRS

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

22 A

Id-连续漏极电流

22 A

品牌

Vishay SiliconixVishay / Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIHG22N50D-GE3-

数据手册

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产品型号

SIHG22N50D-GE3SIHG22N50D-GE3

Pd-PowerDissipation

312 W

Pd-功率耗散

312 W

Qg-GateCharge

49 nC

Qg-栅极电荷

49 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

230 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

230 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

500 V

Vds-漏源极击穿电压

500 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

5 V

上升时间

42 ns

下降时间

40 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1938pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

98nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

230 毫欧 @ 11A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-247AC

其它名称

SIHG22N50DGE3

典型关闭延迟时间

47 ns

功率-最大值

312W

包装

管件

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247-3

工厂包装数量

500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

500

正向跨导-最小值

8 S

漏源极电压(Vdss)

500V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

22A (Tc)

系列

E

配置

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